[发明专利]磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构在审
| 申请号： | 201911073017.9 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN112768333A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林志隆;蔡兆哲;陈俊龙 | 申请（专利权）人： | 聚昌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁力线 遮蔽 控制 反应 磁场 蚀刻 结构 | ||
1.一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，其特征在于其包括：
第一等离子体反应腔体，其具有第一反应腔室；
第一线圈模块，其是环绕设置于该第一反应腔室的外围；以及
第一磁力线遮蔽模块，其是环绕设置于该第一线圈模块的外围，用以阻挡及/或反射该第一线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制该磁力线的形状。
2.根据权利要求1所述的蚀刻机结构，其特征在于：其中该第一磁力线遮蔽模块具有多个遮蔽百叶，且每一该遮蔽百叶的长度，大于或等于该第一线圈模块的垂直高度。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻机结构，其特征在于其进一步具有：
第二等离子体反应腔体，其具有与该第一反应腔室相连通的第二反应腔室；
第二线圈模块，其是环绕设置于该第二反应腔室的外围；以及
第二磁力线遮蔽模块，其是环绕设置于该第二线圈模块的外围，用以阻挡及/或反射该第二线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制该磁力线的形状。
4.一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，其特征在于其包括：
第一等离子体反应腔体，其具有第一反应腔室；
第一线圈模块，其是环绕设置于该第一反应腔室的外围；
第二等离子体反应腔体，其具有与该第一反应腔室相连通的第二反应腔室；
第二线圈模块，其是环绕设置于该第二反应腔室的外围；以及
第二磁力线遮蔽模块，其是环绕设置于该第二线圈模块的外围，用以阻挡及/或反射该第二线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制该磁力线的形状。
5.根据权利要求3或4所述的蚀刻机结构，其特征在于：其中该第二磁力线遮蔽模块具有多个遮蔽百叶，且每一该遮蔽百叶的长度，大于或等于该第二线圈模块的垂直高度。
6.根据权利要求2或5所述的蚀刻机结构，其特征在于：其中所述遮蔽百叶的开启或关闭是借由控制单元所控制。
7.根据权利要求6所述的蚀刻机结构，其特征在于：其中该控制单元是对所述遮蔽百叶进行全区域控制。
8.根据权利要求6所述的蚀刻机结构，其特征在于：其中该控制单元是对所述遮蔽百叶进行2等分区域控制。
9.根据权利要求6所述的蚀刻机结构，其特征在于：其中该控制单元是对所述遮蔽百叶进行4等分区域控制。
10.根据权利要求7至9其中之一项所述的蚀刻机结构，其特征在于：其中任一该区域控制的所述遮蔽百叶，其底部具有百叶齿轮与齿盘的齿排相滑动结合，且该齿盘是滑动结合于滑轨上，又该齿盘的齿排通过马达的马达齿轮的带动，且在该控制单元控制该马达正、逆转的情况下，达成该遮蔽百叶的开启或闭合。
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