[发明专利]磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构

说明书

本发明提供一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，其包括：第一等离子体反应腔体，具有第一反应腔室；第一线圈模块，环绕设置于第一反应腔室的外围；以及第一磁力线遮蔽模块，环绕设置于第一线圈模块的外围。借由本发明的实施，可以阻挡及/或反射第一线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制磁力线的形状，以有效创造更多制造过程参数，以便更精密的生产各类产品。

技术领域

本发明为一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，特别是用于例如化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)、物理气相沉积(Physical VaporDeposition,PVD)、蚀刻、离子布植、光阻剥除、或制造过程反应室的干式清洗…等等离子体反应控制的磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构。

背景技术

在半导体集成电路制造方面，举凡不同材料薄膜的成长、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、蚀刻、离子布植、光阻剥除、或制造过程反应室的干式清洗…等，皆普遍可由等离子体技术达成。

在真空镀膜的领域中，适当运用高密度等离子体除了能获得致密的镀膜品质外，也能在低温状态下完成镀膜，避免高温对于镀膜品质产生不良的影响，因此如何获致高密度的等离子体是各家设备商极力开发的关键制造过程技术。

又在蚀刻制造过程中，等离子体密度的分布与控制，更是影响蚀刻速率及蚀刻均匀性的关键，因此不论在真空镀膜或蚀刻制造过程，如何有效控制磁场，已成为制造过程中的重要参数。

发明内容

本发明为一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，其主要是要解决，如何能创造更多可以控制电等离子体的参数，以便能更精密的生产各类产品的问题。

本发明提供一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，其包括：第一等离子体反应腔体，其具有第一反应腔室；第一线圈模块，其是环绕设置于第一反应腔室的外围；以及第一磁力线遮蔽模块，其是环绕设置于第一线圈模块的外围，用以阻挡及/或反射第一线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制磁力线的形状。

较佳地，其中该第一磁力线遮蔽模块具有多个遮蔽百叶，且每一该遮蔽百叶的长度，大于或等于该第一线圈模块的垂直高度。

较佳地，其进一步具有：第二等离子体反应腔体，其具有与该第一反应腔室相连通的第二反应腔室；第二线圈模块，其是环绕设置于该第二反应腔室的外围；以及第二磁力线遮蔽模块，其是环绕设置于该第二线圈模块的外围，用以阻挡及/或反射该第二线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制该磁力线的形状。

本发明又提供一种磁力线遮蔽控制反应腔室磁场的蚀刻机结构，其包括：第一等离子体反应腔体，其具有第一反应腔室；第一线圈模块，其是环绕设置于第一反应腔室的外围；第二等离子体反应腔体，其具有与第一反应腔室相连通的第二反应腔室；第二线圈模块，其是环绕设置于第二反应腔室的外围；以及第二磁力线遮蔽模块，其是环绕设置于第二线圈模块的外围，用以阻挡及/或反射第二线圈模块的磁力线及/或电磁波向外扩散且控制磁力线的形状。

较佳地，其中该第二磁力线遮蔽模块具有多个遮蔽百叶，且每一该遮蔽百叶的长度，大于或等于该第二线圈模块的垂直高度。

较佳地，其中所述遮蔽百叶的开启或关闭是借由控制单元所控制。

较佳地，其中该控制单元是对所述遮蔽百叶进行全区域控制。

较佳地，其中该控制单元是对所述遮蔽百叶进行2等分区域控制。

较佳地，其中该控制单元是对所述遮蔽百叶进行4等分区域控制。

较佳地，其中任一该区域控制的所述遮蔽百叶，其底部具有百叶齿轮与齿盘的齿排相滑动结合，且该齿盘是滑动结合于滑轨上，又该齿盘的齿排通过马达的马达齿轮的带动，且在该控制单元控制该马达正、逆转的情况下，达成该遮蔽百叶的开启或闭合。