[发明专利]SiC外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201911073469.7 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111180319B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 西原祯孝 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/16;H01L29/36;C30B23/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 外延 晶片 制造 方法 | ||
1.一种SiC外延晶片的制造方法，包括：
测定工序，对SiC基板的第一面的基底面位错密度进行测定；
层构成决定工序，基于所述测定工序的测定结果，决定要在所述SiC基板的所述第一面生长的外延层的层构成；以及
外延生长工序，基于所述层构成决定工序的结果，在所述SiC基板的第一面生长外延层，
(i)在所述层构成决定工序中，在所述基底面位错密度小于预定值的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层和漂移层，
(ii)在所述层构成决定工序中，在所述基底面位错密度为预定值以上的情况下，所述外延层从所述SiC基板侧起包括转换层、复合层以及漂移层，
所述转换层具有比所述SiC基板低的杂质浓度，
所述复合层具有与所述转换层同等或者比其高的杂质浓度。
2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片的制造方法，
使所述预定值为500/cm2。
3.根据权利要求1或2所述的SiC外延晶片的制造方法，
在所述测定工序之前具有决定代表基板的代表基板决定工序，
所述代表基板决定工序是将从同一SiC锭切出的多个SiC基板中的至少一片SiC基板决定为代表基板的工序，
所述测定工序包括第1工序和第2工序，
所述第1工序是测定所述代表基板的第一面的基底面位错密度的工序，
所述第2工序是判断为所述多个SiC基板的基底面位错密度与所述代表基板的基底面位错密度相同的工序。
4.根据权利要求3所述的SiC外延晶片的制造方法，
所述代表基板决定工序中，在将所述SiC锭的生长结束位置设为0、将所述SiC锭的生长开始位置设为1时，从由0.35～0.45的位置切出的SiC基板中决定所述代表基板的至少一片。
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