[发明专利]一种薄膜型熔断器及制造方法有效

专利信息
申请号: 201911074381.7 申请日: 2019-11-06
公开(公告)号: CN110828243B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 杨漫雪;邓琪 申请(专利权)人: 南京隆特电子有限公司;南京萨特科技发展有限公司
主分类号: H01H69/02 分类号: H01H69/02;H01H85/041;H01H85/046
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张弛
地址: 210049 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 熔断器 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜型熔断器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

(a)、熔断体成型:取一块双层金属片,其中一层作为熔断体层,另一层作为电极层,将熔断体层加工出所需的熔断体图形;

(b)、绝缘层成型:取上述已完成熔断体成型的双层金属片,采用印刷工艺在双层金属片银层的一面形成一层绝缘层;

(c)、基体贴合:取上述已完成绝缘层成型的双层金属片,在绝缘层一面贴合一层半固化片,半固化片上再贴合基体;

(d)、基体成型:将上述完成基体贴合的材料,在持续加压条件下,加热使得半固化片完成固化,并使得双层金属片与基体贴合;

(e)、电极层蚀刻;将上述完成基体成型的材料进行电极层面的加工,在电极层中间部分蚀出图形而将电极层分成两个电极,该两个电极相互独立并分别覆盖在熔断体层同一个表面的两端,通过电极层蚀出所需图形的操作将熔断体层的图形部分露出,

(f)、熔断点加工:将上述完成电极层蚀刻并露出熔断体层图形部分的材料贴合干膜,对位曝光出预设熔断点,经显影工艺露出预设熔断点,经镀锡工艺在预设熔断点位置镀一层锡,再退掉其他部分的干膜;

(g)、保护层成型:取上述已完成熔断点加工的半成品,在熔断体层表面印刷一层保护层,所述保护层完全覆盖熔断体图形和熔断点,所述保护层露出作为熔断体电极的铜层端面;

(h)、电极成型:上述半成品通过电镀的方式进行表面处理,最终在电极位置成型电极。

2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于:步骤(a)中,双层金属片为一层银层及一层铜层,银层作为熔断体层,铜层作为电极层;步骤(b)中,绝缘层为玻璃或耐高温的玻璃树脂。

3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于:将熔断体层采用激光工艺或者蚀刻工艺加工出所需的熔断体图形。

4.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于:步骤(h)中,在电极位置成型电极为在铜电极上覆盖镍电极,镍电极的外层再覆盖锡电极。

5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述双层金属片使用阵列结构,经步骤(a)至步骤(g)加工成阵列结构的半成品材料,再进行分割形成单颗熔断器半成品后,经过步骤(h)进行电极成型。

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