[发明专利]一种湿制程工艺及应用在审

专利信息
申请号: 201911074665.6 申请日: 2019-11-06
公开(公告)号: CN110838436A 公开(公告)日: 2020-02-25
发明(设计)人: 王溯;季峥;蒋闯;李成克 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/311;H01L21/67;C25D3/02
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 王卫彬;陈卓
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 湿制程 工艺 应用
【权利要求书】:

1.一种湿制程工艺,其特征在于,其包括如下步骤:

(1)将待处理工件与第一药液接触,得处理工件,其中第一药液添加剂的质量浓度>0;

(2)将处理工件置于第二药液中进行处理,其中第二药液添加剂的质量浓度≥0,第一药液和第二药液添加剂的化学成分相同或不同。

2.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第二药液添加剂的质量浓度=0;和/或,所述的第二药液添加剂的质量浓度>0,则所述的第一药液添加剂的质量浓度>所述的第二药液添加剂的质量浓度。

3.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,

所述的待处理工件为晶圆或芯片;

和/或,所述的待处理工件为含沟槽结构的待处理工件,所述的含沟槽结构的待处理工件的宽度为1nm~50μm,

和/或,所述的含沟槽结构的待处理工件的沟槽的深宽比为(10~500):1;

和/或,所述的接触的方式为表面润湿、浸没、浸泡和填充中的一种或多种,优选为浸没;

和/或,待处理工件与第一药液接触的时间为5min;

和/或,待处理工件与第一药液接触的温度为室温;

和/或,所述处理工件置于第二药液中进行处理的时间为30-100min;

和/或,所述处理工件置于第二药液中进行处理的温度为室温。

4.如权利要求3所述的湿制程工艺,其特征在于,

所述的待处理工件为大尺寸晶圆或铜互连芯片;

和/或,所述的待处理工件为含沟槽结构的待处理工件,所述的含沟槽结构的待处理工件的宽度为100nm~50μm,

和/或,所述的含沟槽结构的待处理工件的沟槽的深宽比为(10~72):1。

5.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂、剥离液添加剂、刻蚀液添加剂和蚀刻液添加剂中的一种或多种;和/或,所述的第二药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂、剥离液添加剂、刻蚀液添加剂和蚀刻液添加剂中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂和刻蚀液添加剂中的一种或多种;和/或,所述的第二药液中的添加剂为刻蚀液添加剂。

7.如权利要求6所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液中的电镀液添加剂包括型号为UPT3320A的添加剂、型号为UPT3320S的添加剂和型号为UPT3320L的添加剂,所述第一药液中的清洗液添加剂为型号为SYS9050的清洗液中的添加剂或所述第一药液中的刻蚀液添加剂为BOE刻蚀液中的添加剂;和/或,所述的第二药液中的刻蚀液添加剂为BOE刻蚀液中的添加剂。

8.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液为电镀液、清洗液、剥离液、刻蚀液和蚀刻液中的一种或多种;和/或,所述的第二药液为电镀液、清洗液、剥离液、刻蚀液、添加剂质量浓度≥0的去离子水和蚀刻液中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液为电镀液、清洗液、和刻蚀液中的一种或多种;和/或,所述的第二药液为添加剂质量浓度≥0的去离子水和电镀液中的一种或多种。

10.如权利要求9所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液为型号为SYS2510的电镀液、型号为SYS9050的清洗液或BOE刻蚀液;和/或,所述的第二药液为型号为SYS 2510的电镀液、添加剂质量浓度=0的去离子水或BOE刻蚀液添加剂质量浓度=1%的去离子水。

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