[发明专利]一种湿制程工艺及应用

权利要求书

1.一种湿制程工艺，其特征在于，其包括如下步骤：

(1)将待处理工件与第一药液接触，得处理工件，其中第一药液添加剂的质量浓度>0；

(2)将处理工件置于第二药液中进行处理，其中第二药液添加剂的质量浓度≥0，第一药液和第二药液添加剂的化学成分相同或不同。

2.如权利要求1所述的湿制程工艺，其特征在于，所述的第二药液添加剂的质量浓度＝0；和/或，所述的第二药液添加剂的质量浓度>0，则所述的第一药液添加剂的质量浓度＞所述的第二药液添加剂的质量浓度。

3.如权利要求1所述的湿制程工艺，其特征在于，

所述的待处理工件为晶圆或芯片；

和/或，所述的待处理工件为含沟槽结构的待处理工件，所述的含沟槽结构的待处理工件的宽度为1nm～50μm，

和/或，所述的含沟槽结构的待处理工件的沟槽的深宽比为(10～500)：1；

和/或，所述的接触的方式为表面润湿、浸没、浸泡和填充中的一种或多种，优选为浸没；

和/或，待处理工件与第一药液接触的时间为5min；

和/或，待处理工件与第一药液接触的温度为室温；

和/或，所述处理工件置于第二药液中进行处理的时间为30-100min；

和/或，所述处理工件置于第二药液中进行处理的温度为室温。

4.如权利要求3所述的湿制程工艺，其特征在于，

所述的待处理工件为大尺寸晶圆或铜互连芯片；

和/或，所述的待处理工件为含沟槽结构的待处理工件，所述的含沟槽结构的待处理工件的宽度为100nm～50μm，

和/或，所述的含沟槽结构的待处理工件的沟槽的深宽比为(10～72)：1。

5.如权利要求1所述的湿制程工艺，其特征在于，所述的第一药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂、剥离液添加剂、刻蚀液添加剂和蚀刻液添加剂中的一种或多种；和/或，所述的第二药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂、剥离液添加剂、刻蚀液添加剂和蚀刻液添加剂中的一种或多种。

6.如权利要求5所述的湿制程工艺，其特征在于，所述的第一药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂和刻蚀液添加剂中的一种或多种；和/或，所述的第二药液中的添加剂为刻蚀液添加剂。

7.如权利要求6所述的湿制程工艺，其特征在于，所述的第一药液中的电镀液添加剂包括型号为UPT3320A的添加剂、型号为UPT3320S的添加剂和型号为UPT3320L的添加剂，所述第一药液中的清洗液添加剂为型号为SYS9050的清洗液中的添加剂或所述第一药液中的刻蚀液添加剂为BOE刻蚀液中的添加剂；和/或，所述的第二药液中的刻蚀液添加剂为BOE刻蚀液中的添加剂。

8.如权利要求1所述的湿制程工艺，其特征在于，所述的第一药液为电镀液、清洗液、剥离液、刻蚀液和蚀刻液中的一种或多种；和/或，所述的第二药液为电镀液、清洗液、剥离液、刻蚀液、添加剂质量浓度≥0的去离子水和蚀刻液中的一种或多种。

9.如权利要求8所述的湿制程工艺，其特征在于，所述的第一药液为电镀液、清洗液、和刻蚀液中的一种或多种；和/或，所述的第二药液为添加剂质量浓度≥0的去离子水和电镀液中的一种或多种。

10.如权利要求9所述的湿制程工艺，其特征在于，所述的第一药液为型号为SYS2510的电镀液、型号为SYS9050的清洗液或BOE刻蚀液；和/或，所述的第二药液为型号为SYS 2510的电镀液、添加剂质量浓度＝0的去离子水或BOE刻蚀液添加剂质量浓度＝1％的去离子水。