[发明专利]一种湿制程工艺及应用在审
申请号: | 201911074665.6 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN110838436A | 公开(公告)日: | 2020-02-25 |
发明(设计)人: | 王溯;季峥;蒋闯;李成克 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/67;C25D3/02 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 王卫彬;陈卓 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿制程 工艺 应用 | ||
1.一种湿制程工艺,其特征在于,其包括如下步骤:
(1)将待处理工件与第一药液接触,得处理工件,其中第一药液添加剂的质量浓度>0;
(2)将处理工件置于第二药液中进行处理,其中第二药液添加剂的质量浓度≥0,第一药液和第二药液添加剂的化学成分相同或不同。
2.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第二药液添加剂的质量浓度=0;和/或,所述的第二药液添加剂的质量浓度>0,则所述的第一药液添加剂的质量浓度>所述的第二药液添加剂的质量浓度。
3.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,
所述的待处理工件为晶圆或芯片;
和/或,所述的待处理工件为含沟槽结构的待处理工件,所述的含沟槽结构的待处理工件的宽度为1nm~50μm,
和/或,所述的含沟槽结构的待处理工件的沟槽的深宽比为(10~500):1;
和/或,所述的接触的方式为表面润湿、浸没、浸泡和填充中的一种或多种,优选为浸没;
和/或,待处理工件与第一药液接触的时间为5min;
和/或,待处理工件与第一药液接触的温度为室温;
和/或,所述处理工件置于第二药液中进行处理的时间为30-100min;
和/或,所述处理工件置于第二药液中进行处理的温度为室温。
4.如权利要求3所述的湿制程工艺,其特征在于,
所述的待处理工件为大尺寸晶圆或铜互连芯片;
和/或,所述的待处理工件为含沟槽结构的待处理工件,所述的含沟槽结构的待处理工件的宽度为100nm~50μm,
和/或,所述的含沟槽结构的待处理工件的沟槽的深宽比为(10~72):1。
5.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂、剥离液添加剂、刻蚀液添加剂和蚀刻液添加剂中的一种或多种;和/或,所述的第二药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂、剥离液添加剂、刻蚀液添加剂和蚀刻液添加剂中的一种或多种。
6.如权利要求5所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液中的添加剂为电镀液添加剂、清洗液添加剂和刻蚀液添加剂中的一种或多种;和/或,所述的第二药液中的添加剂为刻蚀液添加剂。
7.如权利要求6所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液中的电镀液添加剂包括型号为UPT3320A的添加剂、型号为UPT3320S的添加剂和型号为UPT3320L的添加剂,所述第一药液中的清洗液添加剂为型号为SYS9050的清洗液中的添加剂或所述第一药液中的刻蚀液添加剂为BOE刻蚀液中的添加剂;和/或,所述的第二药液中的刻蚀液添加剂为BOE刻蚀液中的添加剂。
8.如权利要求1所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液为电镀液、清洗液、剥离液、刻蚀液和蚀刻液中的一种或多种;和/或,所述的第二药液为电镀液、清洗液、剥离液、刻蚀液、添加剂质量浓度≥0的去离子水和蚀刻液中的一种或多种。
9.如权利要求8所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液为电镀液、清洗液、和刻蚀液中的一种或多种;和/或,所述的第二药液为添加剂质量浓度≥0的去离子水和电镀液中的一种或多种。
10.如权利要求9所述的湿制程工艺,其特征在于,所述的第一药液为型号为SYS2510的电镀液、型号为SYS9050的清洗液或BOE刻蚀液;和/或,所述的第二药液为型号为SYS 2510的电镀液、添加剂质量浓度=0的去离子水或BOE刻蚀液添加剂质量浓度=1%的去离子水。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造