[发明专利]一种湿制程工艺及应用

说明书

本发明公开了一种湿制程工艺及应用。所述的湿制程工艺包括如下步骤：(1)将待处理工件与第一药液接触，得处理工件，其中第一药液添加剂的质量浓度>0；(2)将处理工件置于第二药液中进行处理，其中第二药液添加剂的质量浓度≥0，第一药液和第二药液添加剂的化学成分相同或不同。本发明的湿制程工艺能够有效节约添加剂的用量，降低药液的变质风险，从而大大降低工艺成本。

技术领域

本发明涉及半导体领域和泛半导体领域，特别涉及一种湿制程工艺及应用。

背景技术

在集成电路制造及封装工艺中，干法制程和湿法制程是两种常见处理工艺。而在湿制程工艺中，处理的工件(如引线框架、硅片、晶圆、芯片等)通常含有纳米级或微米级的沟槽结构，尤其是高深宽比的深沟槽结构，且随着半导体技术节点的前进，沟槽宽度越来越窄(例如10～200纳米)，深沟槽的深宽比数值也越来越大。沟槽结构的这种尺寸上的演变，使湿制程工艺难度加大。

尤其是，当湿制程工艺用到的药液是含有添加剂的体系时，添加剂通常价格昂贵，而添加剂有效作用范围仅局限在沟槽部位。但湿制程工艺中，被处理工件通常需要整体浸没在药液中，这使得药液中未接触到沟槽区域的添加剂处于“浪费”的状态。

另外，很多湿制程工艺中，被处理工件需长时间(数小时甚至数天)浸没在药液中，此过程中，药液容易发生变质，尤其是添加剂的变质可能会引起药液效力减弱甚至失效，变质产生的副产物可能会污染工件。药液变质原因很多，例如，温度引起的变质、气压引起的变质、光致变质、声波致变质、接触致化学变质、副产物积累加剧药液变质、添加剂含量高引起的变质等。

目前尚没有一种工艺，能够克服上述半导体领域湿制程工艺缺陷，通常，添加剂的昂贵成本和“浪费”被默默承受，而为了预防药液变质所采用的频繁更换新液的方法，更进一步增加了工艺成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有湿制程工艺中添加剂的浪费问题，而提供了一种湿制程工艺及应用。本发明的湿制程工艺能够有效节约添加剂的用量，降低药液的变质风险，从而降低工艺成本。

本发明通过以下技术方案解决上述技术问题。

本发明提供了一种湿制程工艺，其包括如下步骤：

(1)将待处理工件与第一药液接触，得处理工件，其中第一药液添加剂的质量浓度>0；

(2)将处理工件置于第二药液中进行处理，其中第二药液添加剂的质量浓度≥0，第一药液和第二药液添加剂的化学成分相同或不同。

所述的湿制程工艺中，优选地，其中第二药液添加剂的质量浓度＝0。

所述的湿制程工艺中，优选地，其中第二药液添加剂的质量浓度>0，则第一药液添加剂的质量浓度＞第二药液添加剂的质量浓度。

所述的湿制程工艺中，所述的待处理工件一般为晶圆或芯片，优选为晶圆，更优选为大尺寸晶圆，如8-12寸晶圆。

所述的湿制程工艺中，所述的待处理工件优选为含沟槽结构的待处理工件。

所述的湿制程工艺中，所述含沟槽结构的待处理工件的沟槽的宽度优选为1nm～50μm，例如10nm、14nm、20nm、22nm、45nm、65nm、90nm、100nm、120nm、125nm、150nm、200nm、300nm、450nm、1μm、5μm或8μm等，更优选为100nm～50μm。