[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201911074804.5 申请日: 2019-11-06
公开(公告)号: CN111146159A 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 崔朱伶;金炳镐;金兑昱;辛成真;崔在薰;洪尚石 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367;H01L23/42
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙丽妍;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

连接结构,具有彼此相对的第一表面和第二表面并且包括重新分布层;

半导体芯片,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有连接到所述重新分布层的连接垫;

包封剂,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且覆盖所述半导体芯片;

支撑图案,设置在所述包封剂的上表面的一部分上;

散热结合材料,具有在与所述半导体芯片叠置的区域中嵌入在所述包封剂中的部分并且延伸至所述包封剂的所述上表面以覆盖所述支撑图案;以及

散热元件,通过所述散热结合材料结合到所述包封剂的所述上表面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述散热结合材料的嵌入的所述部分穿透所述包封剂并且接触所述半导体芯片。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述散热结合材料的嵌入的所述部分通过所述包封剂与所述半导体芯片间隔开。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述支撑图案在所述散热结合材料的嵌入的所述部分与所述包封剂之间延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述散热结合材料的嵌入的所述部分包括填充在形成于所述包封剂中的多个通孔中的部分。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述散热结合材料的嵌入的所述部分通过所述多个通孔接触所述半导体芯片。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述散热元件设置在所述包封剂的所述上表面上以覆盖所述散热结合材料。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述散热结合材料包括与所述支撑图案的金属不同的低熔点金属。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:

框架,设置在所述连接结构的所述第一表面上并且具有设置有所述半导体芯片的腔。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件,其中,所述包封剂覆盖所述框架的上表面,并且所述半导体封装件还包括设置在所述包封剂上的布线图案,并且

其中,所述框架还包括使所述布线图案和所述重新分布层电连接的布线结构。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,所述支撑图案包括与所述布线图案相同的金属。

12.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

半导体芯片,具有有效表面和与所述有效表面相对的无效表面,所述有效表面上设置有连接垫;

连接结构,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括电连接到所述连接垫的重新分布层;

包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面并且在所述包封剂的上表面中在与所述半导体芯片叠置的区域中具有凹部;

支撑图案,设置在所述包封剂的所述上表面的位于与所述凹部相邻的至少一个区域上;

散热结合材料,设置在所述凹部中,并且延伸至所述包封剂的所述上表面以覆盖所述支撑图案;以及

散热元件,设置在所述包封剂的所述上表面上,以覆盖所述散热结合材料并且通过所述散热结合材料结合到所述包封剂。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述凹部的底表面通过所述包封剂提供。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,所述支撑图案延伸至所述凹部的内表面。

15.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述包封剂的所述凹部延伸至所述半导体芯片的所述无效表面,并且

所述散热结合材料接触所述半导体芯片的所述无效表面。

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