[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括第一基板结构，其具有第一基板、设置在第一基板上的电路元件和设置在电路元件上的第一接合焊盘。第二基板结构连接到第一基板结构。第二基板结构包括：第二基板，具有第一表面和第二表面；彼此间隔开的第一导电层和第二导电层；焊盘绝缘层，具有暴露第二导电层的一部分的开口；以及栅电极，在第一方向上堆叠为彼此间隔开并且电连接到电路元件。第一接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且连接到栅电极。第二接触插塞在第二表面上沿第一方向延伸并且电连接到第二导电层。第二接合焊盘电连接到第一接触插塞和第二接触插塞。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件。

背景技术

虽然半导体器件的尺寸已经减小，但仍需要半导体器件处理大量数据。因此，增大这种半导体器件的集成度是令人期望的。

发明内容

本发明构思的一方面是提供具有增大的集成密度和提高的可靠性的半导体器件。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件包括第一基板结构，其具有第一基板、设置在第一基板上的电路元件和设置在电路元件上的第一接合焊盘。第二基板结构连接到第一基板结构。第二基板结构包括第二基板，其具有设置为彼此相反的第一表面和第二表面。第一导电层和第二导电层设置在第二基板的第一表面上并且彼此间隔开。焊盘绝缘层设置在第一导电层和第二导电层上，并且包括暴露第二导电层的一部分的开口。栅电极在第二基板的第二表面上沿垂直于第二表面的第一方向堆叠为彼此间隔开。栅电极被配置为在平行于第二表面的第二方向上延伸不同的长度，并且被配置为电连接到电路元件。第一接触插塞在第二基板的第二表面上沿第一方向延伸并且连接到栅电极。第二接触插塞在第二基板的第二表面上沿第一方向延伸并且电连接到第二导电层。第二接合焊盘电连接到第一接触插塞和第二接触插塞，并且设置在第一接触插塞和第二接触插塞上以对应于第一接合焊盘。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件包括第一基板结构，其具有第一基板、设置在第一基板上的电路元件和设置在电路元件上的第一接合焊盘。第二基板结构连接到第一基板结构。第二基板结构包括第二基板。栅电极在第二基板的底表面上沿垂直于第二基板的底表面的第一方向堆叠为彼此间隔开。栅电极在平行于第二基板的底表面的第二方向上延伸不同的长度。栅电极电连接到电路元件。第一导电层在栅电极上方设置在第二基板上。第二导电层在与第一导电层相同的高度水平处与第一导电层水平地间隔开。焊盘绝缘层设置在第一导电层和第二导电层上，并且包括暴露第二导电层的部分的开口。第一接触插塞在第二基板的底表面上沿第一方向延伸，并且连接到栅电极和第二基板。第二接合焊盘电连接到第一接触插塞，并且设置在第一接触插塞上以对应于第一接合焊盘。电信号可以通过第一接触插塞和第二基板施加到第一导电层。

根据本发明构思的一示例实施方式，一种半导体器件包括具有第一基板的第一基板结构。半导体元件设置在第一基板上。第一接合焊盘设置在半导体元件上。第二基板结构连接到第一基板结构。第二基板结构包括第二基板。栅电极在第二基板的底表面上沿垂直于第二基板的底表面的方向堆叠为彼此间隔开。栅电极电连接到半导体元件。第一导电层在栅电极上方设置在第二基板上。第二导电层与第一导电层水平地间隔开并且电连接到外部器件。焊盘绝缘层设置在第一导电层和第二导电层上。第一接触插塞在第二基板的底表面上沿垂直于第二基板的底表面的所述方向延伸，并且连接到栅电极和第二基板。第二接触插塞在第二基板的底表面上沿垂直于第二基板的底表面的所述方向延伸，并且电连接到第二导电层。第二接合焊盘电连接到第一接触插塞和第二接触插塞，并且设置在第一接触插塞和第二接触插塞上以对应于第一接合焊盘。