[发明专利]发光组件

权利要求书

1.一种发光组件，其特征在于，包含：

一堆叠结构，包含：

一P型半导体层；

一N型半导体层，位于该P型半导体层上；

一发光层，位于该P型半导体层与该N型半导体层之间；

一N型电极，位于该N型半导体层上；

一N型接触层，位于该N型半导体层与该N型电极之间且包含N型掺杂；

一P型电极，位于该P型半导体层上；

一N型接触垫，位于该N型电极上；

一P型接触垫，位于该P型电极上；以及

一半导体反射器，位于该发光层及该N型接触层之间，该半导体反射器包括多个周期，各该周期包含至少一第一层及至少一第二层，该第一层的折射率不同于该第二层的折射率，该N型半导体层是N型磷化铝镓铟(AlGaInP)层，该N型接触层是N型砷化镓(GaAs)层，该半导体反射器的第一层包括Al_xGa_1-xAs，该半导体反射器的第二层包括Al_yGa_1-yAs，其中0x1，0y1，且该N型半导体层、该N型接触层及该半导体反射器皆包含Ga元素，且该N型接触层直接接触该N型半导体层或该半导体反射器；以及

一第一绝缘层，覆盖该堆叠结构的至少多个侧壁。

2.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该P型半导体层具有背对该半导体反射器的一顶面，且该顶面为一粗糙面。

3.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层的折射率小于该P型半导体层的折射率。

4.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层延伸至该P型半导体层的一顶面。

5.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层覆盖该堆叠结构的一底面，且露出该N型接触垫的一底部及该P型接触垫的一底部。

6.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该N型半导体层具有一第一部分及一第二部分，该第二部分通过该半导体反射器与该第一部分分开。

7.根据权利要求2所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层延伸至覆盖该粗糙面。

8.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，该第一绝缘层的背对该P型半导体层的一顶面的形状相似于该粗糙面的形状。

9.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，该半导体反射器的该第一层与该第二层包含铝，且该第一层的铝的原子百分比不同于该第二层的铝的原子百分比。

10.根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于，还包含一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层的折射率不同于该第一绝缘层的折射率。

11.根据权利要求10所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率。

12.根据权利要求4所述的发光组件，其特征在于，还包含一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层的折射率不同于该第一绝缘层的折射率。

13.根据权利要求12所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率。

14.根据权利要求7所述的发光组件，其特征在于，还包含一第二绝缘层，该第二绝缘层覆盖该第一绝缘层，其中该第二绝缘层的折射率不同于该第一绝缘层的折射率。

15.根据权利要求14所述的发光组件，其特征在于，该第二绝缘层的折射率小于该第一绝缘层的折射率。