[发明专利]发光组件

说明书

发光组件包括堆叠结构及覆盖堆叠结构的至少多个侧面的第一绝缘层。堆叠结构包括P型及N型半导体层、位于P型及N型半导体层之间的发光层、位于N型半导体层上的N型电极、位于N型半导体层及N型电极之间的N型接触层、位于P型半导体层上的P型电极、位于N型电极上的N型接触垫、位于P型电极上的P型接触垫、以及位于发光层与N型接触层之间的半导体反射器。半导体反射器包括多个周期，各周期包括至少一第一层及至少一第二层，第一层的折射率不同于第二层的折射率，可以提升发光组件的发光效率。发光组件可应用于广色域背光模块或超薄背光模块。

技术领域

本揭露是关于一种发光组件。

背景技术

近年来，发光二极管(LED)由于具有高指向性、节能等优点，已被应用在各种照明元件及显示元件。微型发光二极管(Micro-LED)呈巨集型的排列，其可个别地被处理以例如应用在微型显示器上，相较于标准的大尺寸发光二极管，其可提升光输出量。

传统的发光二极管组件可具有N掺杂层及以多重量子井层(MQW)所隔开的P掺杂层，可凭借电极施加电压在N掺杂层及P掺杂层之间，电极与N掺杂层、P掺杂层之间的介面被期望是欧姆接触，以降低接触电阻。发光二极管组件通常具有位于它们之间的欧姆接触层以降低接触电阻，为了有效的取光，欧姆接触层的面积会尽可能的缩减，以最小化其吸光量。然而，在微型发光二极管中，制造小面积的欧姆接触层具有困难度。

发明内容

本揭露的一些实施例提供一种发光组件。发光组件包括位于发光层及N型接触层之间的半导体反射器，以避免N型接触层吸收发光层所发出的光线，因此，可以提升发光组件的发光效率。发光组件还包括第一绝缘层，第一绝缘层的折射率不同于P型半导体层的折射率，因此，可增进发光组件的发光效率。

其中的一个优点是，由于半导体反射器可避免N型接触层吸收发光层所发出的光线，因此，可提升发光组件的发光效率。另一个优点是，由于第一绝缘层的折射率小于P型半导体层的折射率，发光组件的发光效率同样可因此而提升。再另一个优点是，由于空气和P型半导体层的顶面之间的全反射所造成的损耗可被降低，因此，可提高发光组件的光取出效率。

于一些实施例中，发光组件包括堆叠结构及覆盖该堆叠结构的至少多个侧面的第一绝缘层。堆叠结构包括P型半导体层、位于P型半导体层上的N型半导体层、位于P型半导体层与N型半导体层之间的发光层、位于N型半导体层上的N型电极、位于N型半导体层与N型电极之间的N型接触层、位于P型半导体层上的P型电极、位于N型电极上的N型接触垫、位于P型电极上的P型接触垫、以及位于发光层及N型接触层之间的半导体反射器。半导体反射器包括多个周期，各周期包括至少一第一层及至少一第二层，第一层的折射率不同于第二层的折射率。

于一些实施例中，上述的P型半导体层具有背对半导体反射器的顶面，且顶面为粗糙面。

于一些实施例中，上述的第一绝缘层的折射率小于P型半导体层的折射率。

于一些实施例中，上述的第一绝缘层延伸至P型半导体层的顶面。

于一些实施例中，上述的第一绝缘层覆盖堆叠结构的底面，且露出N型接触垫的底部及P型接触垫的底部。

于一些实施例中，上述的N型半导体层具有第一部分及第二部分，第二部分通过半导体反射器与第一部分分开。

于一些实施例中，上述的第一绝缘层延伸至覆盖粗糙面。

于一些实施例中，上述的第一绝缘层的背对P型半导体层的顶面的形状相似于粗糙面的形状。

于一些实施例中，上述的半导体反射器的第一层与第二层包括铝，且第一层的铝的原子百分比实质上不同于第二层的铝的原子百分比。

于一些实施例中，上述的半导体反射器的第一层包括Al_xGa_1-xAs，其中0x1。