[发明专利]一种感测电路及其读取结果的方法

权利要求书

1.一种感测电路，用于生成存于存储单元内的数据的读取结果，其特征在于，所述感测电路包括：

连接于电源和接地端之间的多个级联晶体管，所述多个级联晶体管包括：

一闪存单元；

一感测节点；以及

一金属-氧化物半导体场效应晶体管，连接于所述感测节点和所述闪存单元之间；

一电荷泵，用于生成输出电压，其中，所述电荷泵的第一输出电压在所述闪存单元的读取操作中与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，以将所述金属-氧化物半导体场效应晶体管偏置；以及

一低通滤波器，连接于所述电荷泵的所述第一输出电压和所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极之间。

2.如权利要求1所述的感测电路，其特征在于，所述电荷泵的第二输出电压在所述闪存单元的编程操作中直接输入至所述多个级联晶体管。

3.如权利要求1所述的感测电路，其特征在于，还包括一感测放大器，具有与所述感测节点连接的输入端，以在所述金属-氧化物半导体场效应晶体管偏置后接收所述闪存单元的读取数据，并通过将所述读取数据放大和输出而生成读取结果。

4.如权利要求2所述的感测电路，其特征在于，还包括连于所述第二输出电压和所述多个级联晶体管之间的第一开关，以及连于所述第一输出电压和所述多个级联晶体管之间的第二开关。

5.如权利要求4所述的感测电路，其特征在于，所述多个级联晶体管还包括：

数据位线节点；以及

反向数据位线节点，

其中，所述金属-氧化物半导体场效应晶体管连接于所述反向数据位线节点与所述数据位线节点之间；在所述闪存单元的编程操作中，所述第一开关导通，以将所述数据位线节点偏置，在所述闪存单元的读取操作中，所述第二开关导通，以将所述金属-氧化物半导体场效应晶体管偏置，从而将所述数据位线节点的值传递至所述反向数据位线节点和所述感测节点。

6.如权利要求1所述的感测电路，其特征在于，所述低通滤波器包括：

一晶体管，所述一晶体管的源极与所述电荷泵的所述第一输出电压连接，所述一晶体管的漏极与所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述一晶体管的栅极接地；以及

一去耦电容器，连接于所述一晶体管的所述漏极和接地端之间。

7.一种用于生成存于存储单元内的数据的读取结果的方法，其特征在于，所述方法包括：

在电源和接地端之间连接多个级联晶体管，所述多个级联晶体管包括：

一闪存单元；

一感测节点；以及

一金属-氧化物半导体场效应晶体管，连接于所述感测节点和所述闪存单元之间；

在所述闪存单元的读取操作中，生成第一电压；

对所述第一电压进行低通滤波；

将低通滤波后的所述第一电压输入至所述金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极，以将所述金属-氧化物半导体场效应晶体管偏置；以及

接收所述闪存单元的读取数据。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述闪存单元的编程操作中，所述方法包括：

生成第二电压；以及

将所述第二电压直接输入至所述多个级联晶体管。