[发明专利]SMT导电弹性体及其制备方法

权利要求书

1.一种SMT导电弹性体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将挤出硅胶和锡箔在限位治具中预成型，以使得所述锡箔包覆在挤出硅胶表面，所述挤出硅胶包括硅胶本体及硅胶本体内的中空部，所述硅胶本体上开设有凹槽，所述凹槽沿硅胶本体的轴线方向延伸，所述硅胶本体的横截面大致呈梯形，所述硅胶本体上两个相对的侧壁设有凹陷部，所述凹陷部朝向硅胶本体内部凹陷；所述锡箔的厚度为25-50μm；所述中空部的横截面呈梯形；

(2)将预成型产品加热至120-220℃，冷却定型后得到所述SMT导电弹性体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：将挤出硅胶和锡箔依次穿入导电弹性体成型机的限位治具、加热模具和冷却模具，然后通过传送带将成型的SMT导电弹性体拉出。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，加热速率为30-50℃/min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤(2)中，采用循环水进行冷却。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：循环水的温度为-5至5℃。

6.一种权利要求1-5中任一项所述的制备方法所制备的SMT导电弹性体，其特征在于：所述SMT导电弹性体包括硅胶芯以及包覆硅胶芯表面的锡箔，所述硅胶芯包括硅胶本体及硅胶本体内的中空部，所述硅胶本体上开设有凹槽，所述凹槽沿硅胶本体的轴线方向延伸，所述硅胶本体的横截面大致呈梯形，所述硅胶本体上两个相对的侧壁设有凹陷部，所述凹陷部朝向硅胶本体内部凹陷；所述锡箔的厚度为25-50μm；所述中空部的横截面呈梯形。

7.根据权利要求6所述的SMT导电弹性体，其特征在于：所述凹槽的横截面呈弧形。