[发明专利]一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构及其制作方法，它包括元胞区和终端保护区，元胞区位于器件的中心区，终端保护区环绕在元胞区的周围；所述元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成；其特征是：

所述MOS器件单元体包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底（1）及位于第一导电类型重掺杂衬底（1）上的第一导电类型外延层（2），从第一导电类型外延层（2）的上表面向下开设有氧化层沟槽（3）与阶梯型的第二导电类型外延沟槽（8），在氧化层沟槽（3）内设有氧化层（4），氧化层（4）填满氧化层沟槽（3），在氧化层（4）内设有屏蔽栅（5）与栅极导电多晶硅（7），栅极导电多晶硅（7）位于屏蔽栅（5）的上方，在第二导电类型外延沟槽（8）内设有第二导电类型外延材料（9），第二导电类型外延材料（9）填满第二导电类型外延沟槽（8），所述氧化层（4）的旁侧连接第二导电类型外延材料（9），第二导电类型外延材料（9）的上表面低于氧化层（4）的上表面；

在第二导电类型外延材料（9）的上表面设有第一导电类型源极区（10）与源极连接金属（12），源极连接金属（12）位于第一导电类型源极区（10）之间，第一导电类型源极区（10）的上表面与氧化层（4）的上表面平齐，在第一导电类型源极区（10）与氧化层（4）的上表面设有绝缘介质层（11），绝缘介质层（11）的上表面与源极连接金属（12）的上表面平齐，在绝缘介质层（11）与源极连接金属（12）的上表面设有源极金属层（13）；

所述第二导电类型外延材料（9）与第一导电类型外延层（2）形成超结电荷平衡；源极连接金属（12）与第二导电类型外延材料（9）接触，且源极连接金属（12）与第一导电类型源极区（10）形成欧姆接触。

2.如权利要求1所述的SJ MOS器件结构，其特征是：所述导电多晶硅（7）和屏蔽栅（5）之间的氧化层（4）的厚度为1000A~5000A。

3.如权利要求1所述的SJ MOS器件结构，其特征是：所述源极金属层（13）和栅极导电多晶硅（7）之间通过绝缘介质层（11）隔开。

4.如权利要求1所述的SJ MOS器件结构，其特征是：所述氧化层沟槽（3）的深度为4~10um。

5.如权利要求1所述的SJ MOS器件结构，其特征是：所述第二导电类型外延沟槽（8）中的每个阶梯的高度为1~5um。

6.如权利要求1所述的SJ MOS器件结构，其特征是：所述第一导电类型重掺杂衬底（1）与第一导电类型源极区（10）均为N⁺型；第一导电类型外延层（2）为N^-型；第二导电类型外延材料（9）为P型。