[发明专利]气相生长装置

权利要求书

1.一种气相生长装置，具备：

n个反应室，n为2以上的整数；

主气体供给通路，对所述n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体；

n条副气体供给通路，从所述主气体供给通路分支，与所述反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；

第一压力计，测定所述主气体供给通路中的压力；

1个第一流量控制器，设置于所述第一副气体供给通路；

(n－1)个第二流量控制器，分别设置于所述第二副气体供给通路；

第一控制电路，基于所述第一压力计的测定结果，对所述第一流量控制器指示第一流量值；以及

第二控制电路，计算由所述第一流量控制器测定的流量值与由所述第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值，对所述第二流量控制器分别指示所述第二流量值。

2.如权利要求1所述的气相生长装置，其中，还具备：

n条副气体排出通路，分别与所述n个反应室连接；

主气体排出通路，与所述n条副气体排出通路连接；

排气泵，与所述气体排出通路连接；

第二压力计，测定所述主气体排出通路中的压力；

压力调整阀，设置于所述排气泵与所述第二压力计之间；以及

第三控制电路，基于所述第二压力计的测定结果，对所述压力调整阀进行指示，控制所述主气体排出通路中的压力。

3.如权利要求1所述的气相生长装置，其中，还具备：

第一气体供给通路，对所述主气体供给通路供给所述第一气体；以及

第二气体供给通路，对所述主气体供给通路供给所述第二气体。

4.如权利要求1所述的气相生长装置，其中，

所述第一控制电路对所述第一流量控制器指示第一流量值，以使所述主气体供给通路中的压力成为规定的值。

5.如权利要求1所述的气相生长装置，其中，

所述第一控制电路进行比例-积分-微分控制即PID控制。

6.如权利要求1所述的气相生长装置，其中，

所述第一气体包含III族元素，所述第二气体包含氮化合物。

7.一种气相生长装置，具备：

n个反应室，n为2以上的整数；

主气体供给通路，对所述n个反应室供给气体；

n条副气体供给通路，从所述主气体供给通路分支，与所述反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；

第一压力计，测定所述主气体供给通路中的压力；

1个第一流量控制器，设置于所述第一副气体供给通路；

(n－1)个第二流量控制器，分别设置于所述第二副气体供给通路；

第一控制电路，基于所述第一压力计的测定结果，对所述第一流量控制器指示第一流量值；以及

第二控制电路，计算由所述第一流量控制器测定的流量值与由所述第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一的流量值，对所述第二流量控制器分别指示所述n分之一的流量值。

8.如权利要求7所述的气相生长装置，其中，还具备：

n条副气体排出通路，分别与所述n个反应室连接；

主气体排出通路，与所述n条副气体排出通路连接；

排气泵，与所述主气体排出通路连接；

第二压力计，测定所述主气体排出通路中的压力；

压力调整阀，设置于所述排气泵与所述第二压力计之间；以及

第三控制电路，基于所述第二压力计的测定结果，对所述压力调整阀进行指示，控制所述主气体排出通路中的压力。

9.如权利要求7所述的气相生长装置，其中，

所述第一控制电路对所述第一流量控制器指示第一流量值，以使所述主气体供给通路中的压力成为规定的值。

10.如权利要求7所述的气相生长装置，其中，

所述第一控制电路进行比例-积分-微分控制即PID控制。

11.如权利要求7所述的气相生长装置，其中，

所述气体包含硅烷。