[发明专利]气相生长装置

说明书

气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给通路，对n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体；n条副气体供给通路，从主气体供给通路分支，与反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；第一压力计，测定主气体供给通路中的压力；1个第一流量控制器，设置于第一副气体供给通路；(n－1)个第二流量控制器，分别设置于第二副气体供给通路；第一控制电路，基于第一压力计的测定结果，对第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制电路，计算由第一流量控制器测定的流量值与由第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值，对第二流量控制器分别指示第二流量值。

技术领域

本发明涉及供给气体而在基板上形成膜的气相生长装置。

背景技术

作为形成高品质的半导体膜的方法，有通过气相生长使单晶膜在晶片等基板上生长的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中，将晶片载置于被保持为常压或者减压的反应室内的支撑部上。然后，一边对该晶片加热，一边从反应室上部的例如喷淋板向晶片表面供给作为半导体膜的原料的源气体等工艺气体。在晶片表面发生源气体的热反应，而在晶片表面成膜出外延单晶膜。

近年来，作为发光器件、功率器件的材料，GaN(氮化镓)类的半导体器件受到关注。作为成膜出GaN类半导体的外延生长技术，存在有机金属气相生长法(MOCVD法)。在有机金属气相生长法中，作为源气体，使用例如三甲基镓(TMG)、三甲基铟(TMI)、三甲基铝(TMA)等有机金属、氨气(NH₃)等。

并且，为了提高生产率，有时使用具备多个反应室的气相生长装置。在日本专利公开公报2017－45927号中记载了具备多个反应室的气相生长装置。为了在多个反应室中同时形成均匀的特性的膜，希望将对各个反应室供给的工艺气体的流量控制为一定。

发明内容

本发明提供能够在多个反应室中同时形成均匀的特性的膜的气相生长装置。

本发明的一个方式的气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给通路，对所述n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体；n条副气体供给通路，从所述主气体供给通路分支，与所述反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；第一压力计，测定所述主气体供给通路中的压力；1个第一流量控制器，设置于所述第一副气体供给通路；(n－1)个第二流量控制器，分别设置于所述第二副气体供给通路；第一控制电路，基于所述第一压力计的测定结果，对所述第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制电路，计算由所述第一流量控制器测定的流量值与由所述第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值，对所述第二流量控制器分别指示所述第二流量值。

本发明的另一个方式的气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给通路，对所述n个反应室供给气体；n条副气体供给通路，从所述主气体供给通路分支，与所述反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；第一压力计，测定所述主气体供给通路中的压力；1个第一流量控制器，设置于所述第一副气体供给通路；(n－1)个第二流量控制器，分别设置于所述第二副气体供给通路；第一控制电路，基于所述第一压力计的测定结果，对所述第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制电路，计算由所述第一流量控制器测定的流量值与由所述第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一的流量值，对所述第二流量控制器分别指示所述n分之一的流量值。

附图说明

图1是第一实施方式的气相生长装置的构成图。

图2是第一实施方式的气相生长装置的反应室的示意剖视图。

图3是第二实施方式的气相生长装置的构成图。

图4是第三实施方式的气相生长装置的构成图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。