[发明专利]显示基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201911081662.5 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN110808267B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 刘如胜;李俊峰;邢汝博 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:第一显示区、第二显示区与第三显示区;所述第二显示区位于所述第一显示区与所述第三显示区之间;所述第一显示区的透光率大于所述第三显示区的透光率;
所述第一显示区中包括阵列排布的第一像素电路,所述第三显示区中包括阵列排布的第二像素电路,所述第二显示区中包括阵列排布的所述第一像素电路与所述第二像素电路;所述第一显示区中还包括阵列排布的第一子像素,所述第三显示区中还包括阵列排布的第二子像素,所述第二显示区中还包括阵列排布的所述第一子像素与所述第二子像素,所述第二显示区中的所述第一子像素与所述第二子像素相间分布;所述第一子像素与所述第一像素电路连接,所述第二子像素与所述第二像素电路连接;所述第一子像素的透光率大于所述第二子像素的透光率;所述第一像素电路与所述第二像素电路不同;
所述第一像素电路的元器件的数目小于所述第二像素电路的元器件的数目以使所述第一像素电路的透光率大于所述第二像素电路的透光率。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二显示区在所述第一显示区指向所述第三显示区的第一方向上包括依次排列的N个子显示区,每个所述子显示区中包括阵列式排布的所述第一像素电路与所述第二像素电路,且沿所述第一方向,所述子显示区中所述第一像素电路所占的比例依次减小,所述第二像素电路所占的比例依次增加;N为正整数。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素电路为nTmC像素电路,所述第二像素电路为jTkC像素电路,n+m≤j+k,n为正整数,m为自然数,j为正整数,k为自然数。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述nTmC像素电路为1T像素电路、2T1C像素电路、3T1C像素电路、4T1C像素电路、5T1C像素电路、6T1C像素电路或者7T1C像素电路;
所述jTkC像素电路为1T像素电路、2T1C像素电路、3T1C像素电路、4T1C像素电路、5T1C像素电路、6T1C像素电路或者7T1C像素电路。
5.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,n=j,m=k,所述第一像素电路中的晶体管为低温多晶硅晶体管,所述第二像素电路中的晶体管为低温多晶氧化物晶体管,或者
所述第一像素电路中的晶体管为低温多晶氧化物晶体管,所述第二像素电路中的晶体管为低温多晶硅晶体管。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,所述第二显示区的透光率大于所述第三显示区的透光率。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一显示区中单位面积内第一子像素的数目小于或者等于所述第二显示区中单位面积内第一子像素的数目与第二子像素的数目的和,所述第一显示区中单位面积内第一子像素的数目小于或者等于所述第三显示区中单位面积内第二子像素的数目。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素的开口面积小于所述第二子像素的开口面积。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一子像素包括第一电极、第一有机发光层与第二电极;所述第一有机发光层位于所述第一电极上,所述第二电极位于所述第一有机发光层上;
所述第一电极包括f个电极块,所述第一有机发光层包括f个发光结构,一个所述电极块上设置有一个发光结构;f为正整数。
10.根据权利要求9所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极在所述显示基板所在平面的投影由一个图形单元或者两个以上的图形单元组成;所述图形单元为圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。
11.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-10任一项所述的显示基板与封装层,所述封装层封装于所述显示基板上。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:
设备本体,具有器件区;
如权利要求11所述的显示面板,所述显示面板覆盖在所述设备本体上;
其中,所述器件区位于所述第一显示区的下方,且所述器件区包括电子器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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