[发明专利]显示基板、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201911081662.5 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN110808267B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 刘如胜;李俊峰;邢汝博 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。所述显示基板,包括:第一显示区、第二显示区与第三显示区;第二显示区位于第一显示区与第三显示区之间;第一显示区的透光率大于第三显示区的透光率;第一显示区中包括阵列排布的第一像素电路,第三显示区中包括阵列排布的第二像素电路,第二显示区中包括阵列排布的第一像素电路与第二像素电路;第一像素电路与第二像素电路不同。根据本发明的实施例,可以避免相邻显示区的显示亮度差异较大出现明显的分界线,改善了显示效果。
技术领域
本发明涉及OLED显示设备技术领域,尤其涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高。由于屏幕顶部需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此,相关技术中屏幕顶部通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如,苹果手机iphoneX的“刘海”区域,影响了屏幕的整体一致性。目前,全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明提供一种显示基板、显示面板及显示装置,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种显示基板,包括:第一显示区、第二显示区与第三显示区;所述第二显示区位于所述第一显示区与所述第三显示区之间;所述第一显示区的透光率大于所述第三显示区的透光率;
所述第一显示区中包括阵列排布的第一像素电路,所述第三显示区中包括阵列排布的第二像素电路,所述第二显示区中包括阵列排布的所述第一像素电路与所述第二像素电路;所述第一像素电路与所述第二像素电路不同。
在一个实施例中,所述第二显示区在所述第一显示区指向所述第三显示区的第一方向上包括依次排列的N个子显示区,每个所述子显示区中包括阵列式排布的所述第一像素电路与所述第二像素电路,且沿所述第一方向,所述子显示区中所述第一像素电路所占的比例依次减小,所述第二像素电路所占的比例依次增加;N为正整数。
由于在第一显示区指向第三显示区的第一方向上第二显示区包括依次排列的N个子显示区,每个子显示区中均包括阵列式排布的第一像素电路与第二像素电路,且沿第一方向,N个子显示区中第一像素电路所占的比例依次减小,第二像素电路所占的比例依次增加,这样,可以使第一显示区的显示亮度向第三显示区的显示亮度逐渐过渡,避免相邻的两个显示区的显示亮度差异较大出现明显的分界线,改善了显示效果。
在一个实施例中,所述第一像素电路为nTmC像素电路,所述第二像素电路为jTkC像素电路,n+m≤j+k,n为正整数,m为自然数,j为正整数,k为自然数。
在本实施例中,第一像素电路中晶体管的数目与电容的数目的和小于或者等于第二像素电路中晶体管的数目与电容的数目的和。当第一像素电路中晶体管的数目与电容的数目的和小于第二像素电路中晶体管的数目与电容的数目的和时,第一像素电路的透光率大于第二像素电路的透光率,有利于提高第一显示区的透光率。
在一个实施例中,所述nTmC像素电路为1T像素电路、2T1C像素电路、3T1C像素电路、4T1C像素电路、5T1C像素电路、6T1C像素电路或者7T1C像素电路;所述jTkC像素电路为1T像素电路、2T1C像素电路、3T1C像素电路、4T1C像素电路、5T1C像素电路、6T1C像素电路或者7T1C像素电路。
在一个实施例中,n=j,m=k,所述第一像素电路中的晶体管为低温多晶硅晶体管,所述第二像素电路中的晶体管为低温多晶氧化物晶体管,或者,所述第一像素电路中的晶体管为低温多晶氧化物晶体管,所述第二像素电路中的晶体管为低温多晶硅晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的