[发明专利]存储器装置、包括存储器装置的存储器系统及其操作方法

权利要求书

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个存储块；

外围电路，该外围电路被配置为通过将读电压施加到所述多个存储块当中的所选存储块来执行读操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路使用初始设定的电压来执行正常读操作并使用新的读电压来执行读重试操作，

其中，所述外围电路使用与所述所选存储块的多个编程状态当中的除包括在特定阈值电压区域中的至少一个编程状态以外的编程状态对应的新的读电压来执行所述读重试操作。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述多个编程状态根据各个所述编程状态的阈值电压分布被分组到第一阈值电压区域、第二阈值电压区域和第三阈值电压区域。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，

其中，所述多个编程状态当中的具有擦除状态的阈值电压分布的编程状态被包括在所述第一阈值电压区域中，

其中，阈值电压高于所述第一阈值电压区域的阈值电压并被包括在所述特定阈值电压区域中的至少一个编程状态被包括在所述第二阈值电压区域中，并且

其中，阈值电压高于所述至少一个编程状态的阈值电压的编程状态被包括在所述第三阈值电压区域中。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，

其中，当所述所选存储块使用三级单元TLC方案编程时，所述第二阈值电压区域具有-0.5V至1.0V的范围，并且

其中，当所述所选存储块使用四级单元QLC方案编程时，所述第二阈值电压区域具有-1.5V至1.0V或-1.0V至1.5V的范围。

5.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述多个存储块中的至少一个存储块存储与所述多个存储块中的每一个存储块对应的读重试表信息。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，在所述读重试操作中，基于与所述所选存储块对应的所述读重试表信息来设定所述新的读电压。

7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述读重试表信息包括关于与所述多个编程状态当中的包括在所述第一阈值电压区域和所述第三阈值电压区域中的编程状态对应的新的读电压的信息。

8.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述外围电路针对包括在所述第一阈值电压区域中的编程状态使用与先前读操作中所使用的读电压相比增加的读电压来执行所述读重试操作。

9.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述外围电路针对包括在所述第三阈值电压区域中的编程状态使用与先前读操作中所使用的读电压相比减小的读电压来执行所述读重试操作。

10.一种存储器系统，该存储器系统包括：

存储器装置，该存储器装置包括多个存储块以及用于对所述多个存储块当中的所选存储块执行正常读操作和读重试操作的外围电路；以及

控制器，该控制器被配置为响应于从主机接收的请求来控制所述存储器装置执行所述正常读操作，并且根据从所述存储器装置接收的读取数据的错误比特数来控制所述存储器装置执行所述读重试操作，

其中，所述控制器控制所述存储器装置针对所述所选存储块的多个编程状态当中的除包括在特定阈值电压区域中的至少一个编程状态以外的编程状态执行所述读重试操作。

11.根据权利要求10所述的存储器系统，

其中，所述多个编程状态当中的具有擦除状态的阈值电压分布的编程状态被包括在第一阈值电压区域中，

其中，阈值电压高于所述第一阈值电压区域的阈值电压并被包括在所述特定阈值电压区域中的至少一个编程状态被包括在第二阈值电压区域中，并且

其中，阈值电压高于所述至少一个编程状态的阈值电压的编程状态被包括在第三阈值电压区域中。