[发明专利]存储器装置、包括存储器装置的存储器系统及其操作方法

说明书

提供了一种存储器装置、包括存储器装置的存储器系统及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储块；外围电路，其用于通过将读电压施加到所述多个存储块当中的所选存储块来执行读操作；以及控制逻辑，其用于控制外围电路使用初始设定的电压执行正常读操作并使用新的读电压执行读重试操作。外围电路使用与所选存储块的多个编程状态当中的除包括在特定阈值电压区域中的至少一个编程状态以外的编程状态对应的新的读电压来执行读重试操作。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置、包括该存储器装置的存储器系统以及该存储器系统的操作方法。

背景技术

目前计算机环境的范式已转变为普适计算环境，其中计算系统可随时随地使用。这促使越来越多使用诸如移动电话、数字相机、笔记本计算机等的便携式电子装置。这些便携式电子装置通常可包括使用存储器装置(即，数据存储装置)的存储器系统。数据存储装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。

由于不存在机械驱动部分，所以使用存储器装置的数据存储装置具有优异的稳定性和耐久性、高信息存取速度和低功耗。在具有这些优点的示例性存储器系统中，数据存储装置可以是包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态驱动器(SSD)等的各种类型中的任一种。

发明内容

实施方式提供了一种能够改进存储器系统的读重试操作中的操作速度的存储器装置、包括该存储器装置的存储器系统以及操作该存储器系统的方法。

根据本公开的一方面，提供了一种存储器装置，该存储器装置包括：存储器单元阵列，其具有多个存储块；外围电路，其被配置为通过将读电压施加到所述多个存储块当中的所选存储块来执行读操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路使用初始设定的电压执行正常读操作并且使用新的读电压执行读重试操作，其中，外围电路使用与所选存储块的多个编程状态当中的除包括在特定阈值电压区域中的至少一个编程状态以外的编程状态对应的新的读电压来执行读重试操作。

根据本公开的另一方面，提供了一种存储器系统，该存储器系统包括：存储器装置，其具有多个存储块以及用于对所述多个存储块当中的所选存储块执行正常读操作和读重试操作的外围电路；以及控制器，其被配置为响应于从主机接收的请求来控制存储器装置执行正常读操作，并且根据从存储器装置接收的读取数据的错误比特数来控制存储器装置执行读重试操作，其中，控制器控制存储器装置针对所选存储块的多个编程状态当中的除包括在特定阈值电压区域中的至少一个编程状态以外的编程状态执行读重试操作。

根据本公开的另一方面，提供了一种操作存储器系统的方法，该方法包括以下步骤：在通电操作中读取存储在存储器装置中的读重试表；对包括在存储器装置中的多个存储块当中的所选存储块执行正常读操作；根据在执行正常读操作的步骤中读取的数据中的错误比特数来确定是否要执行纠错操作；当确定不执行纠错操作时，设定新的读电压；以及使用新的读电压对所选存储块执行读重试操作，其中，新的读电压对应于所选存储块的多个编程状态当中的除包括在特定阈值电压区域中的至少一个编程状态以外的编程状态。

附图说明

下面参照附图更充分地描述各种实施方式；然而，本发明可按照不同的形式具体实现，因此不限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开彻底和完整并且向本领域技术人员充分传达本发明的实施方式的范围。

在附图中，为了例示清晰，尺寸可能被夸大。相似的标号始终是指相似的元件。贯穿说明书，对“实施方式”、“另一实施方式”等的引用未必是指同一实施方式，对任何这种短语的不同引用未必是指不同的实施方式。

图1是示出根据本公开的实施方式的存储器系统的框图。

图2是示出诸如图1所示的控制器的配置的框图。

图3是示出诸如图1所示的半导体存储器的图。