[发明专利]处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种处理方法，具有：

第一工序，在被蚀刻膜上使沉积物沉积于图案化的掩模层；以及

第二工序，去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方，

在该处理方法中，将所述第一工序和所述第二工序重复一次以上，使所述掩模层的图案的侧面的锥角成为期望的角度。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，

在所述第一工序中，使所述沉积物沉积，使所述掩模层的图案的侧面的锥角增加，

在所述第二工序中，去除所述沉积物的一部分，使所述掩模层的图案的侧面的锥角减少。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，

在将所述掩模层的初始状态的侧面的锥角设为θ₀，以规定的次数N重复进行所述第一工序和所述第二工序，将所述次数为第n次的第一工序中的锥角的增加量设为Δθ_D，n，将所述次数为第n次的第二工序中的锥角的减少量设为Δθ_T，n时，式(1)成立，

其中，N为1以上的整数，n≤N。

4.根据权利要求3所述的处理方法，其特征在于，

调整所述第一工序和所述第二工序的工艺条件，以使所述式(1)成立。

5.根据权利要求4所述的处理方法，其特征在于，

调整的所述工艺条件为所述第一工序和所述第二工序的处理时间、所述第一工序的气体的种类、所述第一工序的压力以及所述第一工序的温度中的至少任一方。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的处理方法，其特征在于，

所述第一工序为利用包括碳氢化合物(CH)、氢氟碳化合物(CHF)和碳氟化合物(CF)中的至少一种的第一气体的等离子体进行的处理。

7.根据权利要求6所述的处理方法，其特征在于，

所述第一气体还包括氢(H₂)气体。

8.根据权利要求6或7所述的处理方法，其特征在于，

所述第一气体的H原子的含有量比F原子的含有量大。

9.根据权利要求1至8中的任一项所述的处理方法，其特征在于，

在所述第一工序之前具有执行以下处理的工序：利用H₂气体的等离子体或HBr的等离子体对所述掩模层进行处置。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的处理方法，其特征在于，

在以规定的次数N重复进行了所述第一工序和所述第二工序后，具有以所述掩模层的图案蚀刻所述被蚀刻膜的工序。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的处理方法，其特征在于，

在重复进行所述第一工序和所述第二工序的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第一工序和所述次数为第n+1次的第一工序的工艺条件相同。

12.根据权利要求1至10中的任一项所述的处理方法，其特征在于，

在重复进行所述第一工序和所述第二工序的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第一工序和所述次数为第n+1次的第一工序的工艺条件不同。

13.根据权利要求1至12中的任一项所述的处理方法，其特征在于，

在重复进行所述第一工序和所述第二工序的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第二工序和所述次数为第n+1次的第二工序的工艺条件相同。

14.根据权利要求1至12中的任一项所述的处理方法，其特征在于，

在重复进行所述第一工序和所述第二工序的次数为2以上的情况下，所述次数为第n次的第二工序和所述次数为第n+1次的第二工序的工艺条件不同。

15.一种基板处理装置，

具有处理容器以及控制部，所述控制部对所述处理容器内的基板的处理进行控制，所述基板在被蚀刻膜上具有图案化的掩模层，

其中，所述控制部以如下方式进行控制，

重复进行一次以上使沉积物沉积于所述掩模层的第一工序、以及去除所述掩模层的一部分和所述沉积物的一部分中的至少任一方的第二工序，使所述掩模层的图案的侧面的锥角呈期望的角度。