[发明专利]一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法在审
| 申请号： | 201911082536.1 | 申请日： | 2019-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN110808214A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 林建涛 | 申请（专利权）人： | 记忆科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 巫苑明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区蛇口街道蛇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电磁 屏蔽 芯片 加工 工艺 方法 | ||
1.一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割；
将预切割后的塑料基板与金属胶片在特定条件下进行粘合；
对粘合后的塑料基板进行植球；
将植球后的塑料基板沿着所述预切割的方向进行全切割，以使塑料基板被切割分离成若干芯片。
2.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述塑料基板包括PCB基板，及位于所述PCB基板上方的塑封体；所述PCB基板的厚度为0.1mm-0.4mm；所述塑封体的厚度为1mm-3mm。
3.根据权利要求2所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述“沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割”步骤中，预切割包括将塑封体切透，且PCB基板的切割深度为PCB基板厚度的1/2-2/3。
4.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述金属胶片为银胶片。
5.根据权利要求4所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述银胶片的厚度为40um-50um。
6.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述特定条件包括高温，常压，及模压时间。
7.根据权利要求6所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述高温为170度-180度，常压为200KN-300KN，模压时间为5分钟。
8.根据权利要求2所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述“对粘合后的塑料基板进行植球”步骤中，在PCB基板的表面植入若干球体，所述球体为锡球。
9.根据权利要求8所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述锡球的直径为0.25mm-0.5mm。
10.根据权利要求1所述的一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，其特征在于，所述预切割和全切割均采用金刚石刀片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
