[发明专利]一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法

说明书

本发明涉及一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，包括：沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割；将预切割后的塑料基板与金属胶片在特定条件下进行粘合；对粘合后的塑料基板进行植球；将植球后的塑料基板沿着所述预切割的方向进行全切割，以使塑料基板被切割分离成若干芯片。本发明将金属胶片和塑料基板粘合在一起，以达到电磁屏蔽的效果，且可共用半导体塑封设备，无需重新定位转换，无需特制治具，工艺流程简单，生产投入成本低，能够更好地满足需求。

技术领域

本发明涉及塑封基板切割加工技术领域，更具体地说是指一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法。

背景技术

当前半导体器件的电磁屏蔽采用真空溅镀技术；利用电浆对靶材进行离子轰击，将靶材表面的离子撞击出来，这些靶材原子以气体分子形式发射出来，然后到达沉积的基板上，经过附着，吸附，表面迁移，成核等过程后在半导体器件上形成一层金属层；但是，现有的真空溅镀工艺流程复杂，设备投入费用极高。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法。

为实现上述目的，本发明采用于下技术方案：

一种具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法，包括以下步骤：

沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割；

将预切割后的塑料基板与金属胶片在特定条件下进行粘合；

对粘合后的塑料基板进行植球；

将植球后的塑料基板沿着所述预切割的方向进行全切割，以使塑料基板被切割分离成若干芯片。

其进一步技术方案为：所述塑料基板包括PCB基板，及位于所述PCB基板上方的塑封体；所述PCB基板的厚度为0.1mm-0.4mm；所述塑封体的厚度为1mm-3mm。

其进一步技术方案为：所述“沿着塑料基板的竖直方向对塑料基板进行预切割”步骤中，预切割包括将塑封体切透，且PCB基板的切割深度为PCB基板厚度的1/2-2/3。

其进一步技术方案为：所述金属胶片为银胶片。

其进一步技术方案为：所述银胶片的厚度为40um-50um。

其进一步技术方案为：所述特定条件包括高温，常压，及模压时间。

其进一步技术方案为：所述高温为170度-180度，常压为200KN-300KN，模压时间为5分钟。

其进一步技术方案为：所述“对粘合后的塑料基板进行植球”步骤中，在PCB基板的表面植入若干球体，所述球体为锡球。

其进一步技术方案为：所述锡球的直径为0.25mm-0.5mm。

其进一步技术方案为：所述预切割和全切割均采用金刚石刀片。

本发明与现有技术相比的有益效果是：将金属胶片和塑料基板粘合在一起，以达到电磁屏蔽的效果，且可共用半导体塑封设备，无需重新定位转换，无需特制治具，工艺流程简单，生产投入成本低，能够更好地满足需求。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的具有电磁屏蔽的芯片加工工艺方法的流程示意图。

具体实施方式