[发明专利]非易失性存储器装置及在其中编程的方法

权利要求书

1.一种在非易失性存储器装置中编程的方法，所述方法包括步骤：

提供包括在竖直方向上布置的多个堆叠体的存储块，每个存储块包括多个单元串，并且每个单元串包括在源极线和多条位线中的每一条之间、在所述竖直方向上串联连接的多个存储器单元；

提供布置在所述竖直方向上的两个相邻的堆叠体之间的边界部分中的多个中间开关晶体管，所述中间开关晶体管执行开关操作以分别控制所述单元串的电连接；以及

在关于所述存储块的编程操作期间，在控制所述中间开关晶体管的所述开关操作的同时，执行升压操作以对所述堆叠体的沟道的电压进行升压。

2.如权利要求1所述的方法，其中，执行所述升压操作的步骤包括：

在使所述中间开关晶体管导通的同时，将第一通过电压施加到所述堆叠体中的擦除堆叠体的字线，所述擦除堆叠体表示其中所有存储器单元处于擦除状态的堆叠体；

在将所述第一通过电压施加到所述擦除堆叠体的字线之后，在使所述中间开关晶体管截止的同时，将第二通过电压施加到所述堆叠体中的所选堆叠体的字线，所述所选堆叠体表示包括待被编程的存储器单元的堆叠体。

3.如权利要求2所述的方法，其中，在将所述第一通过电压施加到所述擦除堆叠体的字线的同时，通过使所述中间开关晶体管导通，来将所述擦除堆叠体的沟道和所述所选堆叠体的沟道彼此电连接；并且

其中，在将所述第二通过电压施加到所述所选堆叠体的字线的同时，通过使所述中间开关晶体管截止，来将所述擦除堆叠体的沟道和所述所选堆叠体的沟道彼此电断开。

4.如权利要求2所述的方法，其中，在将所述第二通过电压施加到所述所选堆叠体的字线之后，所述所选堆叠体的沟道被升压到的电压高于所述擦除堆叠体的沟道被升压到的电压。

5.如权利要求2所述的方法，其中，执行所述升压操作的步骤还包括：

在将所述第一通过电压施加到所述擦除堆叠体的字线之前，在使所述中间开关晶体管导通的同时，将预充电电压施加到所述所选堆叠体的沟道和所述擦除堆叠体的沟道。

6.如权利要求2所述的方法，还包括步骤：

通过控制所述中间开关晶体管的所述开关操作，执行恢复操作以初始化所述堆叠体的字线电压，

其中，执行所述恢复操作的步骤包括：

将所述所选堆叠体的字线的电压从所述第二通过电压减小到低于所述第二通过电压并且高于初始电压的中间电压；以及

在所述所选堆叠体的字线的电压减小到所述中间电压之后，使所述中间开关晶体管导通。

7.如权利要求6所述的方法，其中，执行所述恢复操作的步骤还包括：

将所述擦除堆叠体的字线的电压从所述第一通过电压减小到所述初始电压，并且在实质上相同的时间，将所述所选堆叠体的字线的电压从所述中间电压减小到所述初始电压。

8.如权利要求2所述的方法，还包括步骤：

基于与连接到所述所选堆叠体中先前被编程的存储器单元的多条字线相对应的编程线数量来控制所述升压操作。

9.如权利要求8所述的方法，其中，控制所述升压操作的步骤包括：

响应于确定所述编程线数量小于参考数量，执行所述升压操作；以及

响应于确定所述编程线数量大于所述参考数量，省略所述升压操作。

10.如权利要求8所述的方法，其中，控制所述升压操作的步骤包括：

随着所述编程线数量增加，减小所述第一通过电压。

11.如权利要求8所述的方法，其中，执行所述升压操作的步骤还包括：

在将所述第一通过电压施加到所述擦除堆叠体的字线之前，在使所述中间开关晶体管导通的同时，将预充电电压施加到所述所选堆叠体的沟道和所述擦除堆叠体的沟道，并且

其中，控制所述升压操作的步骤包括：

随着所述编程线数量的增加，减小所述预充电电压。