[发明专利]非易失性存储器装置及在其中编程的方法

说明书

在非易失性存储器装置中的编程的方法中，提供包括在竖直方向上布置的多个堆叠体的存储块，其中存储块包括单元串，单元串中的每一个包括在源极线和位线的每一个之间在竖直方向上串联连接的存储器单元。提供布置在竖直方向上两个相邻的堆叠体之间的边界部分中的多个中间开关晶体管，其中中间开关晶体管执行开关操作以分别控制单元串的电连接。在关于存储块的编程操作期间在控制中间开关晶体管的开关操作的同时，执行升压操作以对多个堆叠体的沟道的电压进行升压。通过控制中间开关晶体管的开关操作，降低编程电压干扰和通过电压干扰。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月7日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0135905的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

根据示例实施例的设备和方法涉及半导体集成电路，更具体地涉及非易失性存储器装置和在非易失性存储器装置中编程的方法。

背景技术

即使关闭电源，非易失性存储器装置也可以保持所存储的数据。虽然易失性存储器装置用作各种设备的主存储器，但非易失性存储器装置用于存储各种电子装置(诸如计算机、移动装置等)中的程序代码和/或数据。

最近，已经开发了诸如竖直NAND存储器装置的三维结构的非易失性存储器装置，以增加非易失性存储器装置的集成度和存储容量。随着集成度和存储器容量的增加，在对存储器单元进行编程的同时，对存储器单元的干扰增加。

发明内容

各种示例实施例提供了一种在非易失性存储器装置中编程的方法，该方法能够在编程操作期间降低对存储器单元的干扰。

实施例还提供了一种能够在编程操作期间降低对存储器单元的干扰的非易失性存储器装置。

根据示例实施例的一方面，提供了一种在非易失性存储器装置中编程的方法。该方法可以包括：提供包括在竖直方向上布置的多个堆叠体的存储块，每个存储块包括多个单元串，并且每个单元串包括在源极线和多个位线中的每一个之间在竖直方向上串联连接的多个存储器单元；提供布置在竖直方向上的两个相邻堆叠体之间的边界部分中的多个中间开关晶体管，所述中间开关晶体管执行开关操作以分别控制所述单元串的电连接；以及在关于所述存储块的编程操作期间，在控制所述中间开关晶体管的所述开关操作的同时执行升压操作以对所述堆叠体的沟道的电压进行升压。

根据示例实施例的一方面，提供了一种对存储块编程的方法，该存储块包括通过在位线和源极线之间形成单元串而在竖直方向上串联连接的多个堆叠体。该方法可以包括：从所述堆叠体中选择包括待根据编程命令被编程的存储器单元的堆叠体，所选堆叠体通过包括至少一个中间开关的边界部分与包括未编程存储器单元的擦除堆叠体分离；确定连接到所述单元串中的所述所选堆叠体的先前被编程的存储器单元的字线的数量是否小于预定数量；响应于确定的结果，对所述存储块执行双升压操作。这里，所述双升压操作可以包括：第一升压操作，其包括使所述中间开关导通并将第一通过电压施加到与所述单元串中的所述擦除堆叠体的存储器单元连接的字线；以及第二升压操作，其包括使所述中间开关截止并将第二通过电压施加到与所述单元串中的所述所选堆叠体的存储器单元连接的字线，所述与所述单元串中的所述所选堆叠体的存储器单元连接的字线包括连接到待被编程的存储器单元的字线。

根据示例实施例的一方面，提供了一种非易失性存储器装置，其可以包括：存储块，其包括在竖直方向上布置的多个堆叠体，每个存储块包括多个单元串，每个单元串包括在源极线与多个位线中的每一个之间在竖直方向上串联连接的多个存储器单元；多个中间开关晶体管，其布置在竖直方向上的两个相邻堆叠体之间的边界部分中，所述中间开关晶体管执行开关操作以分别控制所述单元串的电连接；以及控制电路，其配置为在关于所述存储块的编程操作期间，在控制所述中间开关晶体管的开关操作的同时执行升压操作以对所述堆叠体的沟道的电压进行升压。