[发明专利]一种湿法刻蚀单面基板的装置有效
申请号: | 201911084203.2 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN110993528B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 包文中;郭晓娇;胡荣民;周鹏;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 单面 装置 | ||
1.一种湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,包括:导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器;其中:
所述的导热底座,由槽壁顶端带的关卡和底部中心带基板托的导热浅槽底座和防刻蚀液渗漏垫子组成;
所述的带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯,由略比导热底座小的且带防漏垫圈的卡槽和带有导热底座连接缺口的通孔刻蚀容器杯和带孔防刻蚀液蒸发盖构成;所述通孔刻蚀容器杯形状为与基板形状相同的连通台体;
所述的可安拆的温度计和加热型机械搅拌器,分别用于测量刻蚀液温度和加快刻蚀速率,温度计及加热型机械搅拌器的搅拌棒插于所述的带孔防刻蚀液蒸发盖相应大小的孔中,其加热型机械搅拌器及温度计可根据需求灵活安装拆除。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,导热底座中的关卡为不易腐蚀的聚四氟乙烯或硅胶的楔子;基板托及导热浅槽底座的材料为金属,其形状大小可依据被刻蚀基板形状而定。
3.根据权利要求1所述的湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,导热底座中的防刻蚀液渗漏垫子为不易被刻蚀液腐蚀的PTFE或硅胶软质材料,其形状与导热浅槽底座及基板托形状相同。
4.根据权利要求1、2或3所述的湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,刻蚀杯中的连通台体的最大通口四周延伸有1-3cm水平板,其水平板最外圈设有3-4个导热底座连接缺口,导热底座连接缺口大小与导热底座中的关卡匹配,便于导热底座与通孔刻蚀容器杯连通台体旋转连接,以实现与导热底座的导热浅槽底座相内切。
5.根据权利要求4所述的湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,刻蚀杯中的防漏垫圈的卡槽大小和形状与防刻蚀液渗漏垫子相吻合;设置于连通台体最大通孔的水平板靠内侧1-2cm处,与导热底座连接缺口相隔0.2-1cm。
6.根据权利要求5所述的湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,所述的带孔防刻蚀液蒸发盖,其孔用于排出刻蚀中蒸汽,防止刻蚀液快速蒸发及安装其他加快刻蚀的器材,孔的个数为2-4个。
7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,所用的单面基板材料,为金属板、硅片、玻璃片或有机材料薄板,其形状为圆形、方形或梯形。
8.根据权利要求1所述的湿法刻蚀单面基板的装置,其特征在于,所述的湿法刻蚀,所用刻蚀液为酸碱溶液;此湿法刻蚀是刻蚀液与待刻单面基板材料的某些区域发生化学反应。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造