[发明专利]一种湿法刻蚀单面基板的装置有效
申请号: | 201911084203.2 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN110993528B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 包文中;郭晓娇;胡荣民;周鹏;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 单面 装置 | ||
本发明属于湿法刻蚀技术领域,具体为一种湿法刻蚀单面基板的装置。本发明装置主要包括导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器;其中导热底座是槽壁顶端带关卡的导热浅槽底座及防刻蚀液渗漏的垫子等组成;溶液刻蚀杯是略比底座小的通孔刻蚀容器;防液体蒸发盖为带圆孔的容器盖。本发明设计的湿法刻蚀平板的装置,具有装置结构简单、重复使用性较高、成本低、可实现平板的大面积刻蚀等优势,能满足各领域对大面积单面平板材料的刻蚀的需求。
技术领域
本发明属于湿法刻蚀技术领域,具体涉及一种湿法刻蚀单面基板的装置。
背景技术
湿法刻蚀工艺主要是指采用化学药品溶液对刻蚀物进行刻蚀的技术,具体为通过刻蚀液与刻蚀物接触发生化学反应,改变刻蚀物的结构,使无光刻胶覆盖的刻蚀物部分脱离基板表面,而把有光刻胶覆盖的刻蚀物区域保存下来,这样在基板上就得到了所需要的刻蚀物图形。湿法刻蚀以干法刻蚀相比,具有较高的刻蚀工艺稳定性、较简单的刻蚀设备及工艺、易于批量生产和较低的刻蚀成本。
在光伏太阳能电池半导体制造等行业中,往往需要对单面基板进行刻蚀,为此,部分技术人员研发了一些单面基板刻蚀的装置,如CN 207651451 U公开了一种硅片单面刻蚀装置,将硅片置于旋转工作台上旋转,用喷淋装置向硅片表面喷淋刻蚀液,硅片表面上的刻蚀液在离心力作用下,向外扩散铺满整个硅片表面,两者相互反应达到刻蚀效果,此装置可适用于不同刻蚀需求的产品,灵活性高;CN 105225992 A公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法,利用夹紧装置夹紧放置在底座上的多个夹片环和多个晶圆片后,刻蚀液通过夹片环的进液槽注入,来实现晶圆片的刻蚀,提高了晶圆片的刻蚀效率,降低了其刻蚀成本。
然而上述单面基板刻蚀装置存在一些局限性:(1)不能对整个刻蚀过程中的刻蚀液进行温度测量;(2)装置中涉及到旋转、喷淋等其成本较高,不利于小型科研实验室使用;(3)刻蚀装置未配备加热、搅拌器,其刻蚀速率较慢;(4)刻蚀装置适用的刻蚀平板材料及形状比较单一。
发明内容
针对现有单面基板湿法刻蚀装置存在的不足,本发明的目的在于提出一种新型可单面湿法刻蚀基板的装置。
本发明提出的湿法刻蚀单面基板的装置,其结构包括:导热底座、带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯、可安拆的温度计和加热型机械搅拌器;其中:
所述的导热底座,由槽壁顶端带关卡和底部中心带基板托的导热浅槽底座和防刻蚀液渗漏垫子等组成。
进一步地,所述的关卡为不易腐蚀的聚四氟乙烯(Poly tetra fluoro ethyleneptfe,PTFE或Teflon)、硅胶或其他硬材质的楔子;基板托及底座的材料为金属,其形状大小可依据被刻蚀薄板形状而定。
进一步地,所述的防刻蚀液渗漏垫子为不易腐蚀的PTFE、硅胶等软质材料,其形状与底座及基板托形状相同。
所述的带孔防刻蚀液蒸发盖的刻蚀杯,由略比底座小的且带防漏垫圈的卡槽和底座连接缺口的通孔刻蚀容器杯和带孔防刻蚀液蒸发盖构成;所述通孔刻蚀容器杯形状可为与基板形状相同的连通台体。
进一步地,所述连通台体的最大通口四周延伸1-3cm水平板,其水平板最外圈设有3-4个缺口,缺口大小与导热底座内壁的关卡匹配,便于导热底座与通孔刻蚀容器杯连通体旋转连接,可实现与导热底座浅槽的底座相内切。
进一步地,所述防漏垫圈的卡槽大小和形状与防刻蚀液渗漏垫子相吻合;设置于连通台体最大通孔的水平板靠内侧1-2cm处,与底座连接缺口相隔0.2-1cm。
所述的带孔防液体蒸发盖有利于刻蚀中蒸气从孔中排出、防止刻蚀液快速蒸发及安装其他加快刻蚀的器材,其孔的个数可为2-4个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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