[发明专利]一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201911087102.0 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN110797351B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 王海涛;王庆贺;李广耀;刘军;宋威;汪军;王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/52;H01L27/32;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 检测 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括呈阵列分布的多个像素单元,每一所述像素单元包括位于衬底基板上层叠设置的遮光部、薄膜晶体管以及与所述遮光部电连接的阳极;其中,
在任意一个所述像素单元内,所述遮光部具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部,所述阳极具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部;
在相邻且发光颜色相同的两个所述像素单元内,其中一个所述像素单元内的第一延伸部和另一个所述像素单元内的第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域,且所述第一延伸部和所述第二延伸部相互绝缘;
还包括:位于所述薄膜晶体管和所述阳极之间的钝化层,以及位于所述钝化层和所述阳极之间的平坦化层;所述第二延伸部通过贯穿所述平坦化层的第一过孔与所述钝化层接触;
还包括:位于所述遮光部与所述薄膜晶体管之间的缓冲层,位于所述缓冲层与所述钝化层之间的层间绝缘层,以及位于所述钝化层与所述第一延伸部之间的搭接部;
所述搭接部通过贯穿所述缓冲层和所述层间绝缘层的第二过孔与所述第一延伸部电连接,所述搭接部和所述第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:位于所述钝化层与所述平坦化层之间的色阻层,所述色阻层与所述交叠区域不重叠。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述搭接部与所述薄膜晶体管的漏极同层设置。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在每一所述像素单元内,所述阳极通过贯穿所述钝化层的第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述遮光部电连接。
5.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求5所述的显示面板。
7.一种如权利要求1-4任一项所述的阵列基板的检测方法,其特征在于,包括:
在点灯测试阶段,若存在异常像素单元,则通过激光熔融的方式使与所述异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与所述异常像素单元内的第二延伸部通过搭接部电连接,以使所述正常像素单元内的阳极与所述异常像素单元内的阳极导通。
8.如权利要求7所述的检测方法,其特征在于,在激光熔融所述交叠区域对应的钝化层之前,还包括:
采用激光熔融所述薄膜晶体管的有源层,以断开所述薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的