[发明专利]一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201911087102.0 | 申请日: | 2019-11-08 |
公开(公告)号: | CN110797351B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 王海涛;王庆贺;李广耀;刘军;宋威;汪军;王东方 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L51/52;H01L27/32;H01L21/66 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 金俊姬 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 检测 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置,在任意一像素单元内的缓冲层、有源层、ITO等工艺过程中产生Particle导致short不良时,可通过激光熔融的方式使与该发生short不良的异常像素单元相邻且发光颜色相同的正常像素单元内的第一延伸部与该异常像素单元内的第二延伸部电连接,即使异常像素单元内的阳极与正常像素单元内的阳极电连接,从而通过正常像素单元驱动异常像素单元正常发光,可以将亮点和暗点像素单元维修成正常的像素单元,提升画面的显示效果,并且本发明只需要改变遮光部和阳极的构图工艺,不需要增加其它工艺和膜层,实现维修异常像素单元的工艺较简单。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)相比,OLED显示器具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前,在手机、平板电脑、数码相机等显示领域,OLED显示器已经开始取代传统的LCD显示器。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板、其检测方法、显示面板及显示装置,用以解决现有技术中像素由于Particle异物导致的short不良,进而导致点灯画面显示亮点或暗点不良,严重影响画面品质的问题。
因此,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括呈阵列分布的多个像素单元,每一所述像素单元包括位于衬底基板上层叠设置的遮光部、薄膜晶体管以及与所述遮光部电连接的阳极;其中,
在任意一个所述像素单元内,所述遮光部具有向其中一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第一延伸部,所述阳极具有向另一个相邻且发光颜色相同的像素单元方向延伸的第二延伸部;
在相邻且发光颜色相同的两个所述像素单元内,其中一个所述像素单元内的第一延伸部和另一个所述像素单元内的第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域,且所述第一延伸部和所述第二延伸部相互绝缘。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:位于所述薄膜晶体管和所述阳极之间的钝化层,以及位于所述钝化层和所述阳极之间的平坦化层;所述第二延伸部通过贯穿所述平坦化层的第一过孔与所述钝化层接触。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:位于所述钝化层与所述平坦化层之间的色阻层,所述色阻层与所述交叠区域不重叠。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,还包括:位于所述遮光部与所述薄膜晶体管之间的缓冲层,位于所述缓冲层与所述钝化层之间的层间绝缘层,以及位于所述钝化层与所述第一延伸部之间的搭接部;
所述搭接部通过贯穿所述缓冲层和所述层间绝缘层的第二过孔与所述第一延伸部电连接,所述搭接部和所述第二延伸部在所述衬底基板上的正投影具有交叠区域。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,所述搭接部与所述薄膜晶体管的漏极同层设置。
可选地,在具体实施时,在本发明实施例提供的上述阵列基板中,在每一所述像素单元内,所述阳极通过贯穿所述钝化层的第三过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接,所述薄膜晶体管的漏极通过贯穿所述层间绝缘层和所述缓冲层的第四过孔与所述遮光部电连接。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括本发明实施例提供的上述任一阵列基板。
相应地,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括本发明实施例提供的上述显示面板。
相应地,本发明实施例还提供了一种阵列基板的检测方法,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的