[发明专利]一种氮化硅纳米片的制备方法在审
| 申请号： | 201911091227.0 | 申请日： | 2019-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN110655048A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 徐少晨;王杰;韩勇 | 申请（专利权）人： | 徐少晨 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 236800 安徽省亳州市谯城区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 氮化硅纳米 碳酸氢铵 球磨机 形貌 程序升温 尺寸可控 混合粉末 球磨混合 石墨坩埚 碳酸氢氨 最终产物 混合物 研磨 烧结炉 石墨烯 坩埚盖 抽气 平铺 研钵 坩埚 充气 保温 取出 | ||
1.一种氮化硅纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将SiO粉末和石墨烯粉末在球磨机中球磨混合均匀；
S2、取出S1中的混合粉末，再向其中加入适量的碳酸氢氨，使用研钵研磨后待用；
S3、将S2中混合有碳酸氢铵的混合物平铺在石墨坩埚中，控制其厚度，然后盖上坩埚盖；
S4、将S3中的坩埚放置在烧结炉中，依次经过抽气和充气的过程后，开始程序升温，升温至反应温度后，保温2-3h后反应完成即可得到最终产物。
2.根据权利要求1所述的一种氮化硅纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S1中，球磨机的转速为200-300rpm，时间为5-10min。
3.根据权利要求1所述的一种氮化硅纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S2中，碳酸氢氨的加入量为SiO粉末和石墨烯粉末总质量的10-20%。
4.根据权利要求1所述的一种氮化硅纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S3中，使用震动台进行混合粉末的平铺，并控制其厚度在1-3mm。
5.根据权利要求1所述的一种氮化硅纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，抽气后控制烧结炉的气压在0.1-0.01Pa，使用氮气进行充气，氮气的含量大于99.999%，且充气后烧结炉的气压在0.1-0.2MPa。
6.根据权利要求1所述的一种氮化硅纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述的程序升温是指从室温开始在60min内升温至300℃后并保温30min，然后再在30min内升温至900℃并保温20min，最后再在30min内升温至1500℃并保温2-3h。
7.根据权利要求1所述的一种氮化硅纳米片的制备方法，其特征在于，步骤S4后还包括对反应后的产物进行研磨和离心洗涤过程。
8.根据权利要求1-7任一项所述的一种氮化硅纳米片的制备方法制备的氮化硅纳米片。
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