[发明专利]一种OLED器件及其制备方法在审
申请号: | 201911092670.X | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN111312908A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 王士攀 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 何辉 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED器件,其特征在于,包括
第一电极和第二电极;
电子注入层,设于所述第二电极朝向所述第一电极一侧;
至少两组发光结构层,叠层设于所述第一电极和所述电子注入层之间;
电荷产生层,设于相邻的两组所述发光结构层之间。
2.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,
所述发光结构层包括
空穴注入层;
空穴传输层,设于所述空穴注入层上;
发光层,设于所述空穴传输层上;
电子传输层,设于所述发光层上;
其中一发光结构层中的所述空穴注入层设于所述第一电极靠近所述第二电极一侧,另一发光结构层中的所述电子传输层设于所述电子注入层上。
3.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,
所述电荷产生层包括
中性层,设于其中一发光结构层的所述空穴注入层的一侧;
无机半导体层,设于所述中性层远离所述发光结构层一侧。
4.根据权利要求3所述的OLED器件,其特征在于,
所述中性层的厚度为5nm~50nm,其材料为聚合物空穴注入材料,化学结构式为:
N和m的取值为2000~100000;
所述无机半导体层的厚度为5nm~50nm,所述无机半导体层中的纳米粒子所用材料包括ZnO、ZnMgO和TiOx的至少一种。
5.根据权利要求2所述的OLED器件,其特征在于,
所述空穴注入层的厚度为20nm~200nm,其材料包括有机小分子材料、聚合物材料或无机氧化物半导体材料中的至少一种;
所述空穴传输层的厚度为20nm~200nm,其材料包括聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)]、(N,N’-双(4-(6-((3-乙基氧杂环丁烷-3-基)甲氧基)-己氧基)苯基-N,N’-双(4-甲氧基苯基)联苯-4,4'-二胺)];
所述发光层为有机发光层,其厚度为20nm~100nm;
所述电子传输层厚度为20nm~60nm,其材料包括小分子交联材料,所述交联材料包括环氧丙烷基团、苯乙烯基团、三氟乙烯基醚基团、苯并环丁烯基团和尿嘧啶基团中的至少一种交联基团。
6.根据权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,
所述电子注入层的厚度为0.5nm~10nm,其材料包括LiF、NaF和Liq中的至少一种;
所述第一电极为阳极,其所用材料为氧化铟锡;
所述第二电极为阴极,其厚度为100nm~200nm,其材料包括铝、银、镁银合金、氧化铟锌中的至少一种。
7.一种OLED器件的制备方法,其特征在于,
制备一层第一电极;
在所述第一电极上通过喷墨印刷方式制备第一发光结构层;
在所述第一发光结构层上制备电荷产生层;
在所述电荷产生层上通过喷墨印刷方式制备第二发光结构层;
通过真空蒸镀法在所述第二发光结构层上形成电子注入层;
通过真空蒸镀法在所述电子注入层上形成阴极层。
8.根据权利要求7所述的OLED器件的制备方法,其特征在于,
所述第一发光结构层的制备步骤如下
在所述阳极层上打印有机小分子材料墨水或无机氧化物半导体材料墨水,通过真空干燥成膜后,采用热退火工艺去除残留溶液形成空穴注入层;
在所述空穴注入层上打印聚合物材料墨水。通过真空干燥成膜后,采用热退火工艺去除残留溶液形成空穴传输层;
在所述空穴传输层上打印有机发光层材料墨水,通过真空干燥成膜后,采用热退火工艺去除残留溶液形成发光层;
在所述发光层上打印小分子交联材料墨水,通过真空干燥成膜后,采用热退火工艺去除残留溶液形成电子传输层。
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