[发明专利]半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供基底，其中所述基底包括绝缘层覆硅区；

在所述基底上形成图案化硬掩模层，其中所述图案化硬掩模层的上视形状为网状；

以所述图案化硬掩模层作为掩模，移除部分所述基底，而形成多个沟槽与位于所述多个沟槽之间的突出部，且使得所述基底包括基部与突出于所述基部的所述突出部；

在所述绝缘层覆硅区的所述图案化硬掩模层的侧壁上与所述绝缘层覆硅区的所述突出部的侧壁上形成间隙壁；以及

在所述绝缘层覆硅区中，以所述图案化硬掩模层与所述间隙壁作为掩模，对所述多个沟槽所暴露出的所述基底进行热氧化制作工艺，而在所述绝缘层覆硅区的所述基底中形成贯穿氧化物层，其中所述贯穿氧化物层延伸通过所述绝缘层覆硅区的所述多个沟槽下方与所述绝缘层覆硅区的所述突出部下方。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述贯穿氧化物层将所述绝缘层覆硅区的所述突出部与所述绝缘层覆硅区的所述基部进行隔离。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括在所述间隙壁与所述突出部之间形成衬层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中所述间隙壁与所述衬层的形成方法包括：

在所述突出部的侧壁上与所述基部上形成衬材料层；

形成覆盖所述图案化硬掩模层与所述衬材料层的间隙壁材料层；以及

移除部分所述间隙壁材料层与部分衬材料层，而形成所述间隙壁与所述衬层，且暴露出所述绝缘层覆硅区的所述图案化硬掩模层与所述绝缘层覆硅区的所述基部。

5.如权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其中部分所述间隙壁材料层与部分衬材料层的移除方法包括干式蚀刻法。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：

在形成所述间隙壁之后且在形成所述贯穿氧化物层之前，对所述绝缘层覆硅区的所述基部进行各向异性湿式蚀刻制作工艺，而在所述绝缘层覆硅区的所述基部中形成凹陷。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：

在形成所述贯穿氧化物层之后，移除部分所述突出部。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：

在形成所述贯穿氧化物层之后，形成填入所述多个沟槽且覆盖所述图案化硬掩模层与所述间隙壁的填充层；以及

移除所述绝缘层覆硅区的部分所述填充层与所述绝缘层覆硅区的所述图案化硬掩模层，而暴露出所述绝缘层覆硅区的所述突出部的顶部。

9.如权利要求8所述的半导体结构的制造方法，还包括：

移除至少部分所述填充层，而暴露出至少部分所述间隙壁；以及

移除暴露出的至少部分所述间隙壁，而暴露出所述突出部的至少部分侧壁。

10.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述基底还包括非绝缘层覆硅区，且在形成所述贯穿氧化物层之后，所述非绝缘层覆硅区的所述突出部与所述非绝缘层覆硅区的所述基部彼此相连。