[发明专利]一种LED芯片及制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，包括透明的衬底，该衬底具有相对的正面和背面，该衬底的正面上具有LED单元，其特征在于：所述衬底上具有与正面平行设置的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成的变质层。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述粗化层位于衬底内部或者背面上。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述粗化层具有粗化结构，该粗化结构具有往衬底内凹陷的纵向深度。

4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于：所述粗化结构的纵向深度非均匀设置。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述衬底具有连接所述正面和背面的侧壁，该侧壁具有由激光烧灼而成的粗糙结构，所述粗糙结构与所述衬底的正面的距离大于零。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述LED单元包括半导体外延层，所述粗化层到所述外延层的距离为20μm以上。

7.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括下面步骤：

提供一透明衬底，该衬底具有相对的正面和背面，在该衬底的正面设置有LED单元；

在所述衬底上形成与正面平行的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成变质层。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S00、提供LED晶圆，该LED晶圆包括衬底以及位于衬底上的多个所述LED单元；

S10、对衬底进行面型隐形切割，在衬底内烧灼而形成平行衬底背面的变质层；

S20、对衬底背离外延结构一侧的背面进行减薄，减薄至目标厚度后，并裂片而形成多颗LED芯片，每颗LED芯片的衬底内均具有变质层，该变质层为该LED芯片的粗化层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：在所述步骤S10中，变质层由聚焦深度相同的激光烧灼所形成。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：在所述步骤S10中，变质层由聚焦深度不同的激光烧灼所形成。

11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述步骤S20中，衬底的厚度减薄至目标厚度时，该衬底受到变质层的应力作用而沿变质层发生面分离而裸露出变质层。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：在步骤S00和步骤S10之间还具有步骤S01，

S01、对衬底背离外延结构一侧的背面进行第一次减薄，以使衬底的厚度减薄至第一厚度，且减薄的厚度小于面型隐形切割在衬底内的深度。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于：在步骤S01和步骤S10之间还具有步骤S02，

S02、对衬底进行线型隐形切割，线型隐形切割时激光聚焦于衬底内的第一深度，以在衬底内中形成多个线性激光划痕，每个激光划痕的位置均位于相邻两LED单元之间，以定义出各LED芯片的尺寸，第一深度大于面型隐形切割在衬底内的深度。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：所述步骤S20中，衬底的厚度减薄至目标厚度时，该衬底受到激光划痕的应力作用而使该LED晶圆沿激光划痕产生崩裂，以形成多颗LED芯片。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：在进行所述步骤S20前，还包括一贴膜步骤，该贴膜步骤是在外延单元表面上贴设覆盖所有外延单元的一粘性膜。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：所述步骤S20中，衬底的厚度减薄至目标厚度时，该LED晶圆维持其完整。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：还包括步骤S3：利用衬底上线型隐形切割形成的多条激光划痕对衬底进行裂片，以形成多颗LED芯片。