[发明专利]一种LED芯片及制作方法

说明书

本发明涉及一种LED芯片及制作方法，本发明公开了一种LED芯片，包括透明的衬底，该衬底具有相对的正面和背面，该衬底的正面上具有LED单元，衬底上具有与正面平行设置的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成的变质层。本发明还公开一种LED芯片出光面粗化的方法，其通过激光烧灼在衬底内形成变质层，变质层上的激光烧灼痕迹即作为粗化层的粗化结构，解决了现有的湿法或干法蚀刻来实现出光面粗化的方式效率低下的问题。

技术领域

本发明涉及半导体固体照明技术领域，具体是涉及一种LED芯片及制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)通过电子与空穴复合释放能量发光，其具备高效电光转换效率，其广泛应用于照明、显示等领域。

在LED芯片结构中，通过形成图案结构(例如光子晶体结构或者粗糙面)能够有效提升芯片发光效率。目前获得图案结构的方式主要是利用湿法或干法蚀刻对材料层表面进行处理。其中，湿法粗化一般在高温蚀刻溶液中进行，为了避免损伤结构，要求对非粗化结构进行保护。干法粗化一般是通过等离子体轰击表面来进行蚀刻，其也需要在掩模下进行。因此导致现有的湿法或干法蚀刻实现图案结构的方式效率都比较低。

发明内容

本发明旨在提供一种LED芯片，该LED芯片的衬底表面或者衬底内具有由激光烧灼而形成的粗化层。

具体方案如下：

一种LED芯片，其包括透明的衬底，该衬底具有相对的正面和背面，该衬底的正面上具有LED单元，所述衬底上具有与正面平行设置的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成的变质层。

在一些实施例中，所述粗化层位于衬底内部或者背面上。

在一些实施例中，所述粗化层具有粗化结构，该粗化结构具有往衬底内凹陷的纵向深度。

在一些实施例中，所述粗化结构的纵向深度非均匀设置。

在一些实施例中，所述衬底的侧壁具有由激光烧灼而成的粗糙结构。

在一些实施例中，所述LED单元包括半导体外延层，所述粗化层到所述外延层的距离为20μm以上。

本发明还提供了一种LED芯片的制作方法，包括下面步骤：

提供一透明衬底，该衬底具有相对的正面和背面，在该衬底的正面形成LED单元；

在所述衬底上形成与正面平行的粗化层，该粗化层是由激光烧灼而形成变质层。

在一些实施例中，包括以下步骤：

S00、提供LED晶圆，该LED晶圆包括衬底以及位于衬底上的多个所述LED单元，LED单元为倒装结构；

S10、对衬底进行面型隐形切割，在衬底内烧灼而形成平行衬底背面的变质层；

S20、对衬底背离外延结构一侧的背面进行减薄，减薄至目标厚度后，并裂片而形成多颗LED芯片，每颗LED芯片的衬底内均具有变质层，该变质层为该LED芯片的粗化层。

在一些实施例中，在所述步骤S10中，变质层由聚焦深度相同的激光烧灼所形成。

在一些实施例中，在所述步骤S10中，变质层由聚焦深度不同的激光烧灼所形成。

在一些实施例中，所述步骤S20中，衬底的厚度减薄至目标厚度时，该衬底受到变质层的应力作用而沿变质层发生面分离而裸露出变质层。

在一些实施例中，在步骤S00和步骤S10之间还具有步骤S01，

S01、对衬底背离外延结构一侧的背面进行第一次减薄，以使衬底的厚度减薄至第一厚度，且减薄的厚度小于面型隐形切割在衬底内的深度。