[发明专利]扇出型半导体封装件

说明书

本发明提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：框架，具有凹入部；以及半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，所述半导体芯片设置在所述凹入部中。一个或更多个贯通槽设置在所述凹入部的周围并且各自贯穿所述框架的至少一部分以各自沿着所述半导体芯片的相应的侧表面在相应的方向上延伸。金属层设置在所述一个或更多个贯通槽的侧壁上，并且包封剂覆盖所述框架以及所述半导体芯片中的每个的至少一部分并填充所述凹入部的至少一部分。连接结构设置在所述框架以及所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电连接到所述连接垫的重新分布层。

本申请要求于2018年11月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0139168号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种电连接结构可延伸到设置有半导体芯片的区域之外的扇出型半导体封装件。

背景技术

与半导体芯片相关的技术的发展中的主要趋势是减小组件的尺寸。因此，在封装件领域中，通常实现大量的引脚并且小型化以响应对小型化的半导体芯片等的激增的需求。为满足该需求而提出的半导体封装件技术是扇出型半导体封装件。在扇出型半导体封装件的情况下，电连接结构可在设置有半导体芯片的区域之外的区域中重新分布，从而在实现小型化的同时实现大量的引脚。

另一方面，随着半导体封装件被制造得更小和更薄，出于用户的舒适性和设计考虑，用户要求薄的装置提供高端性能。然而，由这些组件产生的电磁波在封闭的封装件内相互干扰，因此故障问题可能开始恶化。为了防止这样的问题的发生，进行了更积极地使用电磁干扰(EMI)屏蔽技术的尝试。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式对所选择的构思进行介绍，并在以下的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在限定所要求保护的主题的关键特征或者必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

本公开的一方面在于提供一种具有优异的散热效果同时具有优异的电磁波屏蔽效果的扇出型半导体封装件。

根据本公开的一方面，在框架的设置有半导体芯片的凹入部周围形成呈沟槽形式的贯通槽，并且在所述贯通槽的侧壁上形成金属层，从而屏蔽电磁波。

根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件包括：框架，具有凹入部；半导体芯片，具有其上设置有连接垫的有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，所述半导体芯片设置在所述凹入部中；一个或更多个贯通槽，设置在所述凹入部的周围并且各自贯穿所述框架的至少一部分以各自沿着所述半导体芯片的相应的侧表面在相应的方向上延伸。金属层设置在所述一个或更多个贯通槽的侧壁上，包封剂覆盖所述框架以及所述半导体芯片中的每个的至少一部分并填充所述凹入部的至少一部分，并且连接结构设置在所述框架以及所述半导体芯片的所述有效表面上，并包括电连接到所述连接垫的重新分布层。

根据本公开的一方面，一种扇出型半导体封装件包括：框架，具有凹入部，所述框架包括设置在不同高度上的第一布线层和第二布线层、将所述第一布线层和所述第二布线层彼此电连接的一个或更多个布线过孔以及设置在所述凹入部的周围并且各自沿着所述凹入部的外周在相应的方向上延伸的一个或更多个屏蔽构件。半导体芯片具有连接垫并设置在所述凹入部中，包封剂覆盖所述框架和所述半导体芯片中的每个的至少一部分，并填充所述凹入部的至少一部分，并且连接结构设置在所述框架和所述半导体芯片上，并包括电连接到所述第一布线层和所述第二布线层以及所述连接垫的重新分布层。所述一个或更多个布线过孔各自具有这样的形式：用金属材料填充贯穿所述框架的至少一部分的各个通孔。所述一个或更多个屏蔽构件中的每个具有这样的形式：金属材料共形地设置在以沟槽的形式贯穿所述框架的至少一部分的各个贯通槽中。