[发明专利]一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：

第一芯片，所述第一芯片包括第一衬底、第一衬底正面上介质材料的第一覆盖层、形成于所述第一覆盖层中的第一极板连接层以及形成于所述第一覆盖层之上的第一介质键合层，所述第一介质键合层中形成有相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层，所述第一金属键合层贯通至所述第一极板连接层，所述第二金属键合层设置于第一介质键合层的第一凹槽中；

第二芯片，所述第二芯片包括第二衬底、第二衬底正面上介质材料的第二覆盖层、形成于所述第二覆盖层中的第二极板连接层以及形成于所述第二覆盖层之上的第二介质键合层，所述第二介质键合层中形成有相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层，所述第三金属键合层贯通至所述第二极板连接层，所述第四金属键合层设置于第二介质键合层的第二凹槽中；

其中，所述第一芯片和第二芯片正面键合，所述第一金属键合层与所述第四金属键合层键合且构成第一电容极板，所述第二金属键合层与所述第三金属键合层键合且构成第二电容极板；

所述第一介质键合层中还形成有第一键合孔，所述第一键合孔包括第一连接孔和其上的第一过孔，所述第一金属键合层和所述第二金属键合层分别形成于第一接线孔、第二接线孔中，所述第一接线孔在所述第一连接孔工艺中形成，所述第二接线孔在所述第一过孔工艺中形成；所述第二介质键合层中还形成有第二键合孔，所述第二键合孔包括第二连接孔和其上的第二过孔，所述第三金属键合层和所述第四金属键合层分别形成于第三接线孔、第四接线孔中，所述第三接线孔在所述第二连接孔工艺中形成，所述第四接线孔在所述第二过孔工艺中形成。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述第一极板连接层为所述第一芯片中的顶层连线层，所述第二极板连接层为所述第二芯片中的顶层连线层。

3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层以及所述相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层为多对。

4.根据权利要求3所述的芯片结构，其特征在于，所述相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层以及所述相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层呈阵列排布。

5.一种晶圆结构，其特征在于，包括晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括层叠的第一晶圆和第二晶圆，所述晶圆键合结构上阵列排布有如权利要求1-4中任一项所述的芯片结构。

6.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆上阵列排布有第一芯片，所述第一芯片包括第一衬底、第一衬底正面上介质材料的第一覆盖层、形成于所述第一覆盖层中的第一极板连接层以及形成于所述第一覆盖层之上的第一介质键合层，所述第一介质键合层中形成有相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层，所述第一金属键合层贯通至所述第一极板连接层，所述第二金属键合层设置于第一介质键合层的第一凹槽中；

提供第二晶圆，所述第二晶圆上阵列排布有第二芯片，所述第二芯片包括第二衬底、第二衬底正面上介质材料的第二覆盖层、形成于所述第二覆盖层中的第二极板连接层以及形成于所述第二覆盖层之上的第二介质键合层，所述第二介质键合层中形成有相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层，所述第三金属键合层贯通至所述第二极板连接层，所述第四金属键合层设置于第二介质键合层的第二凹槽中；

进行第一晶圆和第二晶圆的正面键合，其中，所述第一金属键合层与所述第四金属键合层键合且构成第一电容极板，所述第二金属键合层与所述第三金属键合层键合且构成第二电容极板；

所述第一介质键合层中还形成有第一键合孔，所述第一键合孔包括第一连接孔和其上的第一过孔，所述第一金属键合层和所述第二金属键合层分别形成于第一接线孔、第二接线孔中，所述第一接线孔在所述第一连接孔工艺中形成，所述第二接线孔在所述第一过孔工艺中形成；所述第二介质键合层中还形成有第二键合孔，所述第二键合孔包括第二连接孔和其上的第二过孔，所述第三金属键合层和所述第四金属键合层分别形成于第三接线孔、第四接线孔中，所述第三接线孔在所述第二连接孔工艺中形成，所述第四接线孔在所述第二过孔工艺中形成。