[发明专利]一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法，在第一芯片上形成第一金属键和层和第二金属键和层，在第二芯片上形成第三金属键和层和第四金属键和层，两个芯片通过金属键合层键合在一起，两片芯片键合时，第一芯片的第一金属键和层和第二芯片的第四金属键和层键合构成第一电容极板，第一芯片的第二金属键和层和第二芯片的第三金属键和层键合构成第二电容极板，第一电容极板、第二电容极板以及器件的介质材料构成电容结构，占用较小的芯片面积，有效利用芯片的面积，提高了产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，集成电路已成为现代电子电路中的核心器件，广泛应用于各种电子设备中。现有的集成电路生产中，电容是振荡、滤波、相移、旁路、耦合等电路的主要元件，目前集成电路制作电感电容会占用较多芯片面积，电容占用芯片面积较大时会导致芯片尺寸较大，尺寸越大成本越高，良品率也会越低。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法，有效利用芯片的面积，提高器件的性能。

为实现上述目的，本发明有如下技术方案：

一种芯片结构，包括：

第一芯片，所述第一芯片包括第一衬底、第一衬底正面上介质材料的第一覆盖层、形成于所述第一覆盖层中的第一极板连接层以及形成于所述第一覆盖层之上的第一介质键合层，所述第一介质键合层中形成有相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层，所述第一金属键合层贯通至所述第一极板连接层，所述第二金属键合层设置于第一介质键合层的第一凹槽中；

第二芯片，所述第二芯片包括第二衬底、第二衬底正面上介质材料的第二覆盖层、形成于所述第二覆盖层中的第二极板连接层以及形成于所述第二覆盖层之上的第二介质键合层，所述第二介质键合层中形成有相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层，所述第三金属键合层贯通至所述第二极板连接层，所述第四金属键合层设置于第二介质键合层的第二凹槽中；

其中，所述第一芯片和第二芯片正面键合，所述第一金属键合层与所述第四金属键合层键合且构成第一电容极板，所述第二金属键合层与所述第三金属键合层键合且构成第二电容极板。

可选的，所述第一极板连接层为所述第一芯片中的顶层连线层，所述第二极板连接层为所述第二芯片中的顶层连线层。

可选的，所述第一介质键合层中还形成有第一键合孔，所述第一键合孔包括第一连接孔和其上的第一过孔，所述第一金属键合层和所述第二金属键合层分别形成于第一接线孔、第二接线孔中，所述第一接线孔在所述第一连接孔工艺中形成，所述第二接线孔在所述第一过孔工艺中形成；所述第二介质键合层中还形成有第二键合孔，第二键合孔包括第二连接孔和其上的第二过孔，所述第三金属键合层和所述第四金属键合层分别形成于第三接线孔、第四接线孔中，所述第三接线孔在所述第二连接孔工艺中形成，所述第四接线孔在所述第二过孔工艺中形成。可选的，所述相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层以及所述相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层为多对。

可选的，所述相对设置的第一金属键合层和第二金属键合层以及所述相对设置的第三金属键合层和第四金属键合层呈阵列排布。

一种晶圆结构，包括晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括层叠的第一晶圆和第二晶圆，所述晶圆键合结构上阵列排布有如上述任一项所述的芯片结构。

一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：