[发明专利]一种微元件的临时转移基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201911096858.1 | 申请日： | 2019-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112786514B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 曹轩;钱先锐;夏继业;王程功 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 丁建春 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 元件 临时 转移 及其 制备 方法 | ||
1.一种微元件的临时转移基板，其特征在于，所述临时转移基板的至少一面为临时转移面，所述临时转移基板的所述临时转移面一侧具有多个微孔结构，所述微孔结构用于分散微元件剥离时所受的冲击力，其中，所述微孔结构为通孔或盲孔。
2.根据权利要求1所述的临时转移基板，其特征在于，所述临时转移基板的材料为有机高分子材料，且所述有机高分子材料具有粘性，或所述有机高分子材料可与所述微元件通过范德华力结合。
3.根据权利要求2所述的临时转移基板，其特征在于，所述临时转移基板的材料包括聚二甲基硅氧烷。
4.根据权利要求1所述的临时转移基板，其特征在于，所述微孔结构沿所述临时转移基板厚度方向的纵截面的形状为矩形、倒梯形或三角形，所述微孔结构周期性分布于所述基板上。
5.根据权利要求1所述的临时转移基板，其特征在于，所述微孔结构的孔面积小于微元件的横截面面积。
6.根据权利要求1-5任一项所述的临时转移基板，其特征在于，所述微孔结构的孔直径为1～4微米，相邻微孔结构之间的间距为1～6微米。
7.一种微元件的临时转移基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上旋涂一层临时转移材料，形成临时转移材料层；
采用硬质印章对所述临时转移材料层进行压印，所述硬质印章的一侧主表面上设置有间隔排布的若干凸起；
将临时转移材料进行固化，并剥离所述硬质印章，获得微元件的临时转移基板。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述临时转移材料为具有粘性的有机高分子材料，或可与微元件通过范德华力结合的有机高分子材料。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述临时转移材料包括聚二甲基硅氧烷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
