[发明专利]一种微元件的临时转移基板及其制备方法有效
申请号: | 201911096858.1 | 申请日: | 2019-11-11 |
公开(公告)号: | CN112786514B | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 曹轩;钱先锐;夏继业;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L33/48;H01L27/15 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 元件 临时 转移 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种微元件的临时转移基板及其制备方法,所述临时转移基板的至少一面为临时转移面,所述基板的所述临时转移面一侧具有微孔结构,所述微孔结构用于分散微元件剥离时所受的冲击力。本发明实施例提供的微元件的临时转移基板,有效缓冲激光剥离等外力对微元件的冲击,减少微元件的碎裂,提高微元件的良率。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种微元件的转移基板及其制备方法。
背景技术
Micro LED(微型发光二极管)显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点,有着极高的发光效率和寿命,有希望成为下一代显示技术,其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,之后将Micro LED从最初的生长基板上转移到驱动背板上,目前Micro LED技术发展的难点之一就在于Micro LED的转移过程。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种微元件的临时转移基板及其制备方法,能够提高微元件的转移的良率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种微元件的临时转移基板,临时转移基板的至少一面为临时转移面,临时转移基板的临时转移面一侧具有多个微孔结构,微孔结构用于分散微元件剥离时所受的冲击力。
进一步地,临时转移基板的材料为有机高分子材料,且有机高分子材料具有粘性,或有机高分子材料可与微元件通过范德华力结合。
进一步地,临时转移基板的材料包括聚二甲基硅氧烷。
具体地,微孔结构为通孔或盲孔。
进一步地,微孔结构沿临时转移基板厚度方向的纵截面的形状为矩形或倒梯形或三角形。
进一步地,微孔结构周期性分布于基板上。
进一步地,微孔结构的孔面积小于微元件的横截面面积。
进一步地,微孔结构的孔直径为1~4微米,相邻微孔结构之间的间距为1~6微米。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种微元件的临时转移基板的制备方法,方法包括:
在衬底上旋涂一层临时转移材料;
采用硬质印章对临时转移材料层进行压印,硬质印章的一侧主表面上设置有间隔排布的若干凸起;
将临时转移材料进行固化,并剥离硬质印章,获得微元件的临时转移基板。
进一步地,临时转移材料为具有粘性的有机高分子材料,或可与微元件通过范德华力结合的有机高分子材料。
进一步地,临时转移材料包括聚二甲基硅氧烷。
本发明的有益效果是:区别于现有技术,本发明实施例提供的微元件的临时转移基板,通过在转移面一侧设置微孔结构,临时转移基板与微元件结合,当采用外力将微元件从蓝宝石等生长基板上剥离,外力对微元件施加作用力,使得微元件受到朝向临时转移基板方向的作用力,而此时与微元件结合的临时转移基板具有微孔结构,能够起到缓冲作用,降低激光剥离等外力对微元件的冲击效果,减少微元件的碎裂情况的发生,提高微元件的良率。
附图说明
图1是本发明微元件的临时转移基板及衬底实施例的剖面结构示意图;
图2是本发明微元件的临时转移基板的扫描电子显微镜图;
图3是本发明微元件的临时转移基板及衬底实施例的另一剖面结构示意图;
图4是本发明临时转移材料旋涂于衬底上的实施例的剖面结构示意图;
图5是本发明硬质印章对所述临时转移材料层进行压印实施例的过程示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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