[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201911099455.2 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN111180559A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 陈孟扬 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
1.一种半导体元件，其特征在于，该半导体元件包括：
第一半导体结构；
第二半导体结构；以及
发光结构，位于该第一半导体结构及该第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构；
其中该多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，该阱层及该阻障层组成一对半导体叠层，且该阻障层的厚度小于该阱层的厚度。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻障层与该阱层间晶格不匹配。
3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该多重量子阱结构包含AlGaInAs。
4.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻障层包含Alx1Gay1In1-x1-y1As，其中01-x1-y10.53。
5.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阱层包含Alx2Gay2In1-x2-y2As，其中11-x2-y20.53。
6.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阱层的厚度与该阻障层的厚度比值大于等于1.5。
7.如权利要求1所述的半导体元件，其中该阻障层中铝含量百分比大于该阱层中铝含量百分比。
8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该阻障层中铝含量百分比与该阱层中铝含量百分比的比例大于等于2。
9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该多重量子阱结构包含三对以上的该半导体叠层。
10.如权利要求1所述的半导体元件，其中于该半导体元件操作时，该发光结构发出辐射，该辐射具有峰值波长介于800nm至3000nm之间。
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