[发明专利]半导体元件

说明书

本发明公开一种半导体元件。半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及发光结构。发光结构位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构。多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，阱层及阻障层组成一对半导体叠层。阻障层的厚度小于阱层的厚度。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，特别是涉及一种包含发光结构的半导体光电元件。

背景技术

在信息传输及能量转换领域中，半导体元件扮演着非常重要的角色，相关材料的研究开发也持续进行。举例而言，包含三族及五族元素的三五族半导体材料可应用于各种光电元件，如发光二极管(Light emitting diode，LED)、激光二极管(Laser diode，LD)、太阳能电池(Solar cell)等，近年来此些光电元件也大量被应用于照明、显示、通讯、感测、电源系统等领域。发光二极管适用于固态照明光源且具有耗电量低以及寿命长等优点，已逐渐取代传统光源而大量被应用于交通号志、显示器的背光模块、各式照明及医疗装置中。

发明内容

本发明提供一种半导体元件。半导体元件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及发光结构。发光结构位于第一半导体结构及第二半导体结构之间且包括多重量子阱结构。多重量子阱结构包含铝且具有阱层及阻障层，阱层及阻障层组成一对半导体叠层。阻障层的厚度小于阱层的厚度。

附图说明

图1A为本发明一实施例的半导体元件的上视图；

图1B为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图及局部放大示意图；

图1C为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1D为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图1E为本发明一实施例的半导体元件的剖面结构示意图；

图2为本发明一实验例的半导体元件A～C的发光功率与电流关系图；

图3为本发明一实验例的半导体元件D～F的发光功率与电流关系图；

图4为本发明一实验例的半导体元件G～I的发光功率与电流关系图；

图5为本发明一实验例的半导体元件J～L的发光功率与半导体叠层对数关系图；

图6为本发明一实施例的半导体封装结构剖面示意图。

符号说明

10、60：半导体元件

100：基板

110：第一半导体结构

112：第一限制层

114：第一披覆层

116：第二披覆层

118：第一窗户层

120：第二半导体结构

122：第二限制层

124：第三披覆层

126：第四披覆层

128：第二窗户层

130：发光结构

130a：第一活性结构

130b：第二活性结构

140：第一电极

150：第二电极

150a：主电极

150b：延伸电极