[发明专利]多层电容器及其制造方法有效
申请号: | 201911099458.6 | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN111599593B | 公开(公告)日: | 2023-03-10 |
发明(设计)人: | 权容一;朴庭兑;朱镇卿;宋河中 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
主分类号: | H01G4/012 | 分类号: | H01G4/012;H01G4/232;H01G4/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包国菊;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 电容器 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层电容器,包括:
电容器主体,通过在介电层的堆叠方向上将两个或更多个堆叠单元呈排放置而形成,每个堆叠单元包括多个介电层以及交替设置的多个第一内电极和多个第二内电极,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及
第一外电极和第二外电极,设置在所述电容器主体上以分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极,
其中,所述电容器主体包括一对相邻的堆叠单元,所述一对相邻的堆叠单元包括第一堆叠单元和第二堆叠单元,所述第一堆叠单元和所述第二堆叠单元中的每个堆叠单元具有所述介电层的高密度部和低密度部,并且所述第一堆叠单元的所述高密度部和所述第二堆叠单元的所述高密度部彼此相邻。
2.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述电容器主体还包括缓冲层,所述缓冲层设置在相邻的堆叠单元之间。
3.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述第一堆叠单元的所述介电层的所述低密度部位于所述第一堆叠单元的在所述堆叠方向上的上部,并且
所述第二堆叠单元设置在所述第一堆叠单元的在所述堆叠方向上的下侧,所述第二堆叠单元的所述介电层的所述高密度部位于所述第二堆叠单元的在所述堆叠方向上的上部。
4.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述第一堆叠单元的所述介电层的所述高密度部和所述低密度部分别位于所述第一堆叠单元的在所述堆叠方向上的下部和上部,并且
所述第二堆叠单元设置在所述第一堆叠单元的在所述堆叠方向上的下侧,所述第二堆叠单元的所述介电层的所述高密度部和所述低密度部分别位于所述第二堆叠单元的在所述堆叠方向上的上部和下部,使得所述第一堆叠单元的所述高密度部和所述第二堆叠单元的所述高密度部彼此相邻。
5.根据权利要求1所述的多层电容器,其中,所述第一堆叠单元的所述介电层的所述低密度部位于所述第一堆叠单元的在所述堆叠方向上的上部,
所述第二堆叠单元设置在所述第一堆叠单元的在所述堆叠方向上的下侧,所述第二堆叠单元的所述介电层的所述高密度部位于所述第二堆叠单元的在所述堆叠方向上的上部,并且
所述第一堆叠单元和所述第二堆叠单元一个接一个交替地堆叠。
6.一种多层电容器,包括:
电容器主体,包括在介电层的堆叠方向上呈排堆叠的两个或更多个堆叠单元,所述两个或更多个堆叠单元中的每个包括多个介电层以及交替设置的多个第一内电极和多个第二内电极,且各介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及
第一外电极和第二外电极,设置在所述电容器主体上并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极,
其中,在所述两个或更多个堆叠单元中的每个中,所述多个第一内电极和所述多个第二内电极的在所述电容器主体的宽度方向上的长度从所述两个或更多个堆叠单元中的每个的中间部向上或向下变得更小,并且
其中,所述两个或更多个堆叠单元中的每个满足W2/W1≥0.96,其中,所述多个第一内电极和所述多个第二内电极之中的内电极的在所述宽度方向上的最大长度被定义为“W1”,并且所述多个第一内电极和所述多个第二内电极之中的内电极的在所述宽度方向上的最小长度被定义为“W2”。
7.根据权利要求6所述的多层电容器,其中,所述电容器主体还包括缓冲层,所述缓冲层设置在成对的相邻堆叠单元之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电机株式会社,未经三星电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911099458.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集成电路器件及其制造方法
- 下一篇:能够对地址进行加扰的半导体系统