[发明专利]一种多晶硅生产中六氯二硅烷处理方法及处理装置

权利要求书

1.一种多晶硅生产中六氯二硅烷处理方法，其特征在于，所述处理方法包括如下步骤：

T1：向反应罐(1)中通入六氯二硅烷和氯化氢；

T2：向反应罐(1)中通入氮氮二甲基苯胺；

T3：六氯二硅烷和氯化氢在氮氮二甲基苯胺的催化作用下发生反应，反应生成三氯氢硅、四氯化硅以及氢气。

2.根据权利要求1所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理方法，其特征在于，在所述步骤T1之前还包括步骤S2：对所述反应罐(1)进行加热，使所述反应罐(1)的内部温度为设定的温度。

3.根据权利要求2所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理方法，其特征在于，所述设定的温度为90℃±5℃。

4.根据权利要求2所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理方法，其特征在于，所述步骤S2之前还包括步骤S1：利用氮气置换所述反应罐(1)中的水分和空气。

5.根据权利要求1所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理方法，所述步骤T2之后，所述步骤T3之前还包括步骤T23：检测所述反应罐(1)中的压力是否为设定的压力，如果小于所述设定的压力，那么向所述反应罐(1)中充入氮气；如果大于所述设定的压力，那么对所述反应罐(1)进行泄压。

6.根据权利要求5所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理方法，所述设定的压力为200kpa±20kpa。

7.一种多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，包括反应罐(1)，所述反应罐(1)上设置有物料进口(2)、气相出口、催化剂入口，所述物料进口(2)供六氯二硅烷和氯化氢的进入，所述气相出口供反应生成物的流出，所述催化剂入口供氮氮二甲基苯胺的进入。

8.根据权利要求7所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述反应罐(1)上还设置有氮气入口和放空口，所述氮气入口供氮气的进入，所述放空口供所述反应罐(1)泄压。

9.根据权利要求7所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述反应罐(1)上还设置有安全阀。

10.根据权利要求8所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述物料进口(2)、所述气相进口、所述催化剂入口、所述氮气入口以及所述放空口围绕所述反应罐(1)的颈部周向布置。

11.根据权利要求7所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述反应罐(1)的底部设置有封头(5)，所述封头(5)上设置有渣浆阀(6)。

12.根据权利要求7所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述反应罐(1)外套设有夹套(4)，所述夹套(4)与所述反应罐(1)之间充有蒸汽。

13.根据权利要求12所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述夹套(4)的上部设置有蒸汽进口，所述夹套(4)的下部设置有冷凝水出口(7)。

14.根据权利要求7所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述反应罐(1)内设置有搅拌轴(3)。

15.根据权利要求7所述的多晶硅生产中六氯二硅烷处理装置，其特征在于，所述反应罐(1)上还设置有检测管(8)，所述检测管(8)沿所述反应罐(1)的径向布置，与所述反应罐(1)连通，且所述检测管(8)贯穿所述夹套(4)，所述检测管(8)中设置有温度传感器或者压力传感器。