[发明专利]形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：

在下结构上形成第一牺牲图案；

形成在所述第一牺牲图案的侧壁上延伸并在所述第一牺牲图案之间延伸的第一剩余掩模层，以使所述第一剩余掩模层与所述第一牺牲图案接触；

通过图案化所述第一剩余掩模层来形成第一剩余掩模图案，所述第一剩余掩模图案包括各自的平行于所述下结构的上表面的水平部分和各自的垂直于所述下结构的上表面的竖直部分；

形成与所述第一剩余掩模图案的各自的竖直部分间隔开的第二掩模图案；

在形成所述第二掩模图案之后去除所述第一牺牲图案；以及

通过蚀刻所述第一剩余掩模图案的各自的水平部分来形成第一掩模图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一剩余掩模图案的各自的竖直部分布置在对应的一对第二掩模图案之间，并且其中，所述第一剩余掩模图案的各自的水平部分与所述对应的一对第二掩模图案中的一个第二掩模图案接触，但是与所述对应的一对第二掩模图案中的另一个第二掩模图案间隔开。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成与所述第一牺牲图案接触的第一剩余掩模层的步骤包括：

在其上形成有所述第一牺牲图案的下结构上以第一厚度形成第一掩模层，所述第一掩模层在所述第一牺牲图案的侧部和上表面上以及在所述第一牺牲图案之间的下结构上延伸；

在所述第一牺牲图案之间的第一掩模层上形成第二牺牲图案，其中，通过在所述第一牺牲图案之间延伸的第一掩模层将所述第二牺牲图案与所述下结构分离；以及

去除所述第一掩模层的布置在所述第二牺牲图案之间的第一牺牲图案上的部分。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，每个所述第一牺牲图案具有第一宽度，

所述第一牺牲图案彼此间隔开大于所述第一宽度的第一距离，并且

所述第一厚度小于所述第一宽度。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，通过图案化所述第一剩余掩模层来形成第一剩余掩模图案的步骤包括：

蚀刻所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案，以暴露出所述第一剩余掩模层的上区；

在所述第一剩余掩模层的上区的侧部上形成上间隔件；

通过利用所述第一剩余掩模层和所述上间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案；以及

通过利用已被蚀刻的第一牺牲图案和第二牺牲图案作为蚀刻掩模来各向异性地蚀刻所述第一剩余掩模层，以将“U”形的所述第一剩余掩模层形成为“L”形的所述第一剩余掩模图案。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成与所述第一剩余掩模图案的各自的竖直部分间隔开的第二掩模图案的步骤包括：

在形成所述第一剩余掩模图案之后，形成其厚度等于所述第一掩模层的第一厚度的掩模材料层，所述掩模材料层具有与所述第一掩模层的材料相同的材料；以及

各向异性地蚀刻所述掩模材料层。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括步骤：在形成所述第二掩模图案之后，在去除所述第一牺牲图案的同时去除所述第二牺牲图案。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过蚀刻所述第一剩余掩模图案的各自的水平部分来形成所述第一掩模图案的步骤包括：

在去除所述第一牺牲图案和所述第二牺牲图案之后，各向异性地蚀刻所述“L”形的所述第一剩余掩模图案。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤：

通过利用所述第一掩模图案和所述第二掩模图案作为蚀刻掩模蚀刻所述下结构来形成限定有源区的沟槽；以及

在所述沟槽中形成隔离区，其中，在形成所述隔离区的同时或者在形成所述隔离区之后去除所述第一掩模图案和所述第二掩模图案。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下结构包括按次序堆叠的导电层和封盖绝缘层。