[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

一种形成半导体器件的方法包括：在下结构上形成第一牺牲图案；在第一牺牲图案之间形成具有“U”形的第一剩余掩模层，以使第一剩余掩模层与第一牺牲图案接触；通过图案化第一剩余掩模层形成第一剩余掩模图案，第一剩余掩模图案中的每一个包括平行于下结构的上表面的水平部分和垂直于下结构的上表面的竖直部分；形成与第一剩余掩模图案的竖直部分间隔开的第二掩模图案；去除在形成第二掩模图案之后剩余的第一牺牲图案；以及通过蚀刻第一剩余掩模图案的水平部分形成第一掩模图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月12日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0138093的优先权的权益，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及形成半导体器件的方法，并且更具体地说，涉及形成细微图案的方法和利用其形成半导体器件的方法。

背景技术

随着半导体器件变得高度集成，半导体器件的图案的大小减小。由于用于形成这种图案的曝光设备的光学分辨率限制，利用这种曝光设备形成细微图案会存在限制。

发明内容

本发明构思的一方面提供一种在其中可形成细微图案的形成半导体器件的方法。

根据本发明构思的一方面，一种形成半导体器件的方法包括：在下结构上形成第一牺牲图案；在第一牺牲图案之间形成具有“U”形的第一剩余掩模层，以使第一剩余掩模层与第一牺牲图案接触；通过图案化第一剩余掩模层形成第一剩余掩模图案，第一剩余掩模图案中的每一个包括平行于下结构的上表面的水平部分和垂直于下结构的上表面的竖直部分；形成与第一剩余掩模图案的竖直部分间隔开的第二掩模图案；在形成第二掩模图案之后去除第一牺牲图案；以及通过蚀刻第一剩余掩模图案的水平部分形成第一掩模图案。

根据本发明构思的一方面，一种形成半导体器件的方法包括：在下结构上形成第一牺牲图案，第一牺牲图案中的每一个具有第一宽度，并且第一牺牲图案彼此间隔开大于第一宽度的第一距离；在第一牺牲图案之间形成第一剩余掩模图案以使其与第一牺牲图案接触，第一剩余掩模图案中的每一个包括平行于下结构的上表面的水平部分和垂直于下结构的上表面的竖直部分；形成与第一剩余掩模图案的竖直部分间隔开的第二掩模图案；去除在形成第二掩模图案之后剩余的第一牺牲图案；以及通过各向异性地蚀刻第一剩余掩模图案形成第一掩模图案。

根据本发明构思的一方面，一种形成半导体器件的方法包括：在下结构上形成第一剩余掩模图案，第一剩余掩模图案各自包括平行于下结构的上表面的水平部分和在垂直于下结构的上表面的方向上从水平部分的一部分延伸的竖直部分；在形成第一剩余掩模图案之后在下结构上形成第二掩模图案；以及对第一剩余掩模图案和第二掩模图案执行各向异性蚀刻。第一剩余掩模图案的水平部分通过各向异性蚀刻被蚀刻，以形成为第一掩模图案，并且第二掩模图案由与第一剩余掩模图案的水平部分接触的第一图案以及与第一剩余掩模图案间隔开的第二图案形成。

附图说明

从下面结合附图的详细描述中将清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和优点，在附图中：

图1至图16是示出根据本发明构思的一些实施例的形成半导体器件的方法的示例的示图；

图17A和图17B是示出根据本发明构思的一些实施例的形成半导体器件的方法的示例的剖视图；

图18A至图18C是示出根据本发明构思的一些实施例的形成半导体器件的方法的示例的剖视图；

图19至图21是示出根据本发明构思的一些实施例的形成半导体器件的方法的示例的示图；以及

图22至图33是示出根据本发明构思的一些实施例的形成半导体器件的方法的示例的示图。

具体实施方式