[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201911105356.0 申请日: 2019-11-13
公开(公告)号: CN111180420A 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 吴东俊;李硕浩;姜周锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张红;刘美华
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面;

第一包封剂,覆盖所述半导体芯片的所述无效表面和侧表面中的每个的至少一部分;

连接结构,具有顺序地设置在所述半导体芯片的所述有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层,所述重新分布层电连接到所述半导体芯片的所述连接垫并包括接地图案层;以及

金属层,设置在所述第一包封剂的上表面上,并从所述第一包封剂的所述上表面延伸到所述连接结构的所述第一区域的侧表面,

其中,所述连接结构的所述第一区域具有第一宽度,并且所述第二区域具有小于所述第一宽度的第二宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件包括台阶,所述台阶形成在所述连接结构的所述第一区域和所述第二区域之间的边界处。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接结构的所述接地图案层设置在所述第一区域中,并且连接到所述金属层。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接结构的所述第二区域具有倾斜的侧表面,以远离所述第一区域而变窄。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一包封剂和所述连接结构的所述第一区域中的每个具有倾斜的侧表面,所述倾斜的侧表面朝向所述第二区域变宽。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述金属层使所述连接结构的所述第二区域暴露。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接结构的所述第一区域和所述第二区域分别包括绝缘层,并且

所述第一区域的所述绝缘层覆盖所述重新分布层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,所述第一区域的所述绝缘层的一部分从所述连接结构的所述第一区域和所述第二区域之间的下表面暴露。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一区域和所述第二区域中的一个包括所述重新分布层,并且所述第一区域和所述第二区域中的另一个包括另外的重新分布层。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述连接结构的所述第二区域包括钝化层,所述钝化层具有使所述连接结构的最下面的重新分布层的部分暴露的开口。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括框架,所述框架设置在所述连接结构上,并且具有第一通孔,所述半导体芯片设置在所述第一通孔中。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述金属层覆盖所述框架的侧表面,并且延伸到所述连接结构的所述第一区域。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述框架还具有第二通孔,并且所述半导体封装件还包括设置在所述第二通孔中的一个或更多个无源组件。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,所述框架包括框架金属层,所述框架金属层至少设置在所述第二通孔的内侧壁上,

其中,所述框架金属层电连接到所述金属层。

15.根据权利要求13所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括第二包封剂,所述第二包封剂覆盖所述无源组件中的每个的上表面和侧表面的至少一部分,并且

其中,所述第一包封剂覆盖所述第二包封剂的上表面。

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