[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201911105356.0 申请日: 2019-11-13
公开(公告)号: CN111180420A 公开(公告)日: 2020-05-19
发明(设计)人: 吴东俊;李硕浩;姜周锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L25/16
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张红;刘美华
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【说明书】:

本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面;第一包封剂,覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面的至少一部分;连接结构,具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层,重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层;以及金属层,设置在第一包封剂的上表面上,并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度,并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。

本申请要求于2018年11月13日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0139087号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件,例如,涉及一种扇出型半导体封装件。

背景技术

随着电子装置变得更小并且其性能变得更高,组件之间的距离变得更近并且操作速度大大增加。结果,由于组件之间的电磁波干扰导致的装置故障的问题一直是个问题。最近,对电磁屏蔽技术的兴趣不断增长。在智能手机的情况下,电磁屏蔽技术仅应用于一些芯片(诸如初始通信芯片),然而,最近,电磁屏蔽技术的应用已经扩展到AP、RF芯片等。

主要使用金属罐结构或诸如溅射的沉积方法作为电磁波屏蔽技术。当使用诸如溅射的沉积方法时,由于在分割半导体封装件之后根据EMI屏蔽层的形成,甚至在封装件的下表面上形成溅射层,因此会出现诸如外观缺陷、焊料球、电短路等的缺陷,并且EMI屏蔽特性会劣化。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种显著减少缺陷发生并改善屏蔽性能的半导体封装件。

根据本公开的一个方面,在半导体封装件中,连接结构以多级的形式形成,并且EMI屏蔽层形成为不延伸到下端部。

例如,一种半导体封装件可包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面;第一包封剂,覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面中的每个的至少一部分;连接结构,具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上的第一区域和第二区域并包括重新分布层,重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层;以及金属层,设置在第一包封剂的上表面上,并从第一包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面。连接结构的第一区域具有第一宽度,并且第二区域具有小于第一宽度的第二宽度。

另外,一种半导体封装件包括:半导体芯片,具有其上设置有连接垫的有效表面以及与有效表面相对的无效表面;包封剂,覆盖半导体芯片的无效表面和侧表面中的每个的至少一部分;连接结构,具有顺序地设置在半导体芯片的有效表面上并具有不同宽度的第一区域和第二区域并且包括重新分布层,重新分布层电连接到半导体芯片的连接垫并包括接地图案层;以及金属层,设置在包封剂的上表面上,并且从包封剂的上表面延伸到连接结构的第一区域的侧表面,并且连接到位于第一区域中的接地图案层。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更加清楚地理解,在附图中:

图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图;

图2是示出电子装置的示例的示意性透视图;

图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和被封装之后的状态的示意性剖视图;

图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性剖视图;

图5是示出扇入型半导体封装件安装在中介基板上并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性剖视图;

图6是示出扇入型半导体封装件嵌入中介基板中并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性剖视图;

图7是示出扇出型半导体封装件的示意性剖视图;

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