[发明专利]存储器设备及其操作方法在审
申请号: | 201911105608.X | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN111179989A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 徐亨源 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/408 | 分类号: | G11C11/408;G11C11/4074 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 范心田 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 设备 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器设备的操作方法,所述方法包括:
从外部设备接收活动命令;
在第一时间间隔期间,响应于所述活动命令来将第一激活电压施加到选定字线;
从接收到所述活动命令的第一时间点开始经过第一时间间隔之后,将第二激活电压施加到选定字线;
从所述外部设备接收预充电命令;以及
响应于所述预充电命令,将第一去激活电压施加到选定字线,
其中,所述第二激活电压低于所述第一激活电压且高于所述第一去激活电压。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:
从将所述第二激活电压施加到选定字线的第二时间点开始经过第二时间间隔之后,将所述第一激活电压重新施加到选定字线。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在第二时间间隔期间,响应于所述预充电命令来将所述第一激活电压重新施加到选定字线,并且在所述第二时间间隔之后施加所述第一去激活电压。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在第一时间间隔期间,响应于所述活动命令来将第二去激活电压施加到未选定字线;以及
在所述第一时间间隔之后,将低于所述第二去激活电压的第三去激活电压施加到未选定字线,
其中,所述第二去激活电压等于或小于所述第一去激活电压。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括:
从施加第三去激活电压的第二时间点开始经过第二时间间隔之后,将低于所述第三去激活电压的第四去激活电压施加到未选定字线。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括:
在预定时段期间,对针对选定字线所累积的活动命令的数目进行计数,
其中,所述第二去激活电压至所述第四去激活电压中的每个去激活电压的电平是基于所述计数的结果来调整的。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第三去激活电压随着所累积的活动命令的数目增加而降低。
8.根据权利要求4所述的方法,还包括:
响应于所述预充电命令,将所述第一去激活电压施加到未选定字线。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一激活电压与所述第二激活电压的差小于所述第二激活电压与所述第一去激活电压的差。
10.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在所述第一时间点与接收到所述预充电命令的第二时间点之间,接收至少一个操作命令,并执行与接收的至少一个操作命令相对应的操作。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述选定字线连接到多个动态随机存取存储器DRAM单元。
12.一种存储器设备,包括:
存储器单元阵列,包括连接到多个字线的多个存储器单元;
控制逻辑电路,被配置为从外部设备接收活动命令;以及
字线电压控制电路,被配置为:
响应于所述活动命令,将第一激活电压施加到所述多个字线中的选定字线,以及
从接收到所述活动命令的时间点开始经过第一时间间隔之后,将低于所述第一激活电压的第二激活电压施加到选定字线。
13.根据权利要求12所述的存储器设备,其中,所述控制逻辑电路还被配置为在接收到所述活动命令之后,从所述外部设备接收预充电命令,
其中,所述字线电压控制电路还被配置为响应于所述预充电命令将去激活电压施加到选定字线,并且
其中,所述去激活电压低于所述第一激活电压和所述第二激活电压。
14.根据权利要求12所述的存储器设备,其中,所述字线电压控制电路还被配置为响应于所述活动命令来将第一去激活电压施加到所述多个字线中的未选定字线。
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