[发明专利]存储器设备及其操作方法

说明书

公开了一种存储器设备的操作方法，包括：从外部设备顺序接收活动命令和预充电命令，在第一时间间隔期间，响应于活动命令来将第一激活电压施加到选定字线，从接收到第一活动命令的第一时间点开始经过第一时间间隔之后，将第二激活电压施加到选定字线，以及响应于预充电命令来将第一去激活电压施加到选定字线。第二激活电压低于第一激活电压且高于第一去激活电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月12日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2018-0138085的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本文所描述的发明构思的实施例涉及半导体存储器，更具体地，涉及存储器设备及其操作方法。

背景技术

半导体存储器设备可以被分类为易失性存储器设备或非易失性存储器设备，在易失性存储器设备中，存储的数据在电源关闭时消失，例如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM)，在非易失性存储器设备中，即使在电源关闭时，存储的数据也被保持，例如闪存设备、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM)。

由于DRAM设备具有快速的操作速度，因此DRAM设备被广泛用作计算系统的缓冲存储器、系统存储器或工作存储器。在控制器的控制下，通用DRAM设备激活字线并对连接到激活的字线的存储器单元执行读/写操作。在这种情况下，由于提供给字线的高电压，在存储器设备内可能发生各种干扰，从而使存储器设备的可靠性降低。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种具有可靠性提高的存储器设备及其操作方法。

根据示例实施例，存储器设备的操作方法包括在第一时间间隔期间从外部设备接收活动命令，并响应于活动命令将第一激活电压施加到选定字线，在从接收到活动命令的第一时间点开始经过第一时间间隔之后，将第二激活电压施加到选定字线，从外部设备接收预充电命令，并响应于预充电命令将第一去激活电压施加到选定字线。第二激活电压低于第一激活电压且高于第一去激活电压。

根据示例实施例，存储器设备包括：存储器单元阵列，包括连接到多个字线的多个存储器单元；控制逻辑电路，从外部设备接收活动命令；以及字线电压控制电路。在接收活动命令的控制逻辑电路的控制下，字线电压控制电路将第一激活电压施加到多个字线中的选定字线，并且在从接收到活动命令的时间点开始经过第一时间间隔之后，将低于第一激活电压的第二激活电压施加到选定字线。

根据示例实施例，存储器设备的操作方法包括：在第一时间间隔期间从外部设备接收活动命令，并响应于活动命令将第一激活电压施加到选定字线，将第一去激活电压施加到未选定字线，从接收到活动命令的时间点开始经过第一时间间隔之后，将低于第一激活电压的第二激活电压施加到选定字线，并将低于第一去激活电压的第二去激活电压施加到未选定字线中的至少第一字线，从外部设备接收预充电命令，并响应于预充电命令将第一去激活电压施加到选定字线和未选定字线。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明构思的示例实施例，本发明构思的以上以及其他目的和特征将变得显而易见。

图1是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器系统的框图。

图2是示出图1的存储器设备的框图。

图3是示出图2的存储器单元阵列的图。

图4是示出根据示例实施例的图2的存储器设备的操作的流程图。

图5是用于描述根据本发明构思的示例实施例的存储器设备的操作的图。

图6A至图6C是用于描述根据示例实施例的图2的存储器设备的操作的图。

图7是示出根据示例实施例的图2的存储器设备的操作的流程图。