[发明专利]制造倒装芯片封装的方法和测试倒装芯片的设备

权利要求书

1.一种制造倒装芯片封装的方法，该方法包括以下步骤：

形成多个半导体芯片；

将所述多个半导体芯片结合到封装基板；

对在所述封装基板上的所述多个半导体芯片进行电测试；

对经测试的所述半导体芯片进行模制；以及

将经模制的所述半导体芯片单片化，

其中，对所述多个半导体芯片进行电测试的步骤包括利用保护构件覆盖所述半导体芯片的步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个半导体芯片的步骤包括针对每个半导体芯片的以下步骤：

在具有器件层的半导体基板上形成至少一个电极焊盘；以及

在所述至少一个电极焊盘上形成至少一个导电凸块。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述封装基板包括：

上层，该上层包括多个第一连接端子；

下层，该下层包括多个第二连接端子；以及

主体层，该主体层插入在所述上层和所述下层之间以将所述多个第一连接端子与所述多个第二连接端子电连接。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，将所述半导体芯片结合到所述封装基板的步骤包括以下步骤：翻转所述半导体芯片，以使得每个半导体芯片的所述至少一个导电凸块与所述多个第一连接端子接触。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，对所述多个半导体芯片进行电测试的步骤包括以下步骤：通过所述封装基板的所述多个第二连接端子向所述多个半导体芯片施加电压和电流中的至少一者，以测试所述封装基板与所述多个半导体芯片之间的电特性。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在对所述多个半导体芯片进行电测试之后并且在对经测试的所述半导体芯片进行模制之前，在每个半导体芯片的至少一个导电凸块与所述封装基板之间形成底部填充层。

7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在对所述多个半导体芯片进行电测试之后并且在对经测试的所述半导体芯片进行模制之前，对所述多个半导体芯片中的未通过电测试的半导体芯片进行修复。

8.根据权利要求3所述的方法，该方法还包括以下步骤：在对经测试的半导体芯片进行模制之后并且在将经模制的半导体芯片单片化之前，将外部端子装配到所述多个第二连接端子。

9.一种用于测试倒装芯片的设备，该设备包括：

测试壁，该测试壁被配置为限定测试空间；

测试板，该测试板被布置在所述测试空间中以在测试期间设置封装基板，多个半导体芯片电连接到所述封装基板；以及

保护构件，该保护构件联接到所述测试壁并且被配置为在测试期间覆盖所述半导体芯片。

10.根据权利要求9所述的用于测试倒装芯片的设备，其中，所述测试板包括：

基板台，该基板台被配置为容纳所述封装基板；

支承件，该支承件被配置为支承并垂直移动所述基板台，以使得所述基板台与所述封装基板接触；以及

多个测试引脚，该多个测试引脚被布置在所述基板台上以将所述封装基板的端子与所述基板台电连接，以接收电信号。

11.根据权利要求10所述的用于测试倒装芯片的设备，该设备还包括基板固定构件，该基板固定构件被配置为在将所述封装基板装载到所述测试空间中时固定所述封装基板。

12.根据权利要求9所述的用于测试倒装芯片的设备，其中，所述保护构件包括凹槽，该凹槽被配置为容纳所述半导体芯片。

13.根据权利要求12所述的用于测试倒装芯片的设备，其中，所述凹槽的深度大于所述多个半导体芯片中的半导体芯片的厚度与将所述半导体芯片与所述封装基板电连接的导电凸块的厚度之和。