[发明专利]晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖有效
申请号: | 201911107581.8 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN110759641B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 潘利敏;王贤超;汪陇军;杨元东;郑贵友 | 申请(专利权)人: | 蒙娜丽莎集团股份有限公司 |
主分类号: | C03C8/08 | 分类号: | C03C8/08;C04B41/86 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;熊子君 |
地址: | 528211 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶花干粒釉 使用 晶花干粒釉制 定位 陶瓷砖 | ||
1.一种陶瓷砖的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在坯体上喷墨打印图案;
在打印有图案的坯体上定位布施晶核剂;所述晶核剂的原料包括:按质量百分比计,钾长石:15~25%、钠长石:5~15%、石英:10~14%、氧化铝:0.5~1.5%、方解石:14~18%、氧化锌:8~12%、萤石:1~3%、硼酸:1~3%、磷酸钙:1~2%、金红石:15~17%、锆英粉:7~9%、氧化钨:1~2%;
在布施有晶核剂的坯体上布施晶花干粒釉;所述晶花干粒釉的原料包括:按质量百分比计,钾长石:53~63%、石英:10~14%、方解石:11~15%、白云石:0~4%、氧化锌:10~12%、碳酸钡:0~2%、碳酸锶:2~4%;
将布施有晶花干粒釉的坯体烧成、采用全抛工艺抛光。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述晶花干粒釉通过如下方法得到:将所述各原料按配比混合并在1300~1400℃的温度下熔融成玻璃液,将玻璃液水淬后加工成30~100目的干粒。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述晶花干粒釉的化学组成包括:按质量百分比计,SiO2:55.0~60.0%、Al2O3:9.0~11.0%、Fe2O3:0~0.15%、TiO2:0~0.1%、CaO:6.5~11.0%、MgO:0~1.5%、K2O:6.0~7.0%、Na2O:0.5~1.5%、ZnO:10.5~12.5%、BaO:0~2.0%、SrO:1.5~3.0%、烧失:0.5~1.0%。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在坯体上施釉后再喷墨打印图案,所述釉为喷墨发色釉。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述喷墨发色釉的原料包括:按质量百分比计,钾长石:33~45%、钠长石:15~25%、高岭土:22~27%、煅烧氧化铝:5~9%、硅酸锆:8~10%。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述喷墨发色釉的化学组成包括:按质量百分比计,SiO2:55.0~60.0%、Al2O3:23.5~25.5%、Fe2O3:0~0.5%、TiO2:0~0.1%、CaO:0~0.5%、MgO:0~0.3%、K2O:4.0~5.5%、Na2O:2.0~3.5%、ZrO2:6.0~12.0%、烧失:3.0~4.5%。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述晶核剂的化学组成包括:按质量百分比计,SiO2:37~40.5%、Al2O3:5.5~7.0%、Fe2O3:0~0.2%、TiO2:16.0~18.0%、CaO:10.0~12.5%、MgO:0.1~0.5%、K2O:1.0~2.5%、Na2O:1.0~2.5%、ZnO:8.0~13.0%、F:0.5~1.5%、ZrO2:4.5~6.5%、P2O5:0.5~1.0%、B2O3:0.5~2.0%、WO3:1.0~2.5%、烧失:1.0~2.0%。
8.一种使用权利要求1至7中任一项所述的陶瓷砖的制备方法制得的陶瓷砖。
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